A Samsung évekkel ezelőtt bejelentett prototípusát idén nyáron követték volna az első végleges példányok, ám némi csúszást követően, csak most készültek el - a flashmemóriát váltanák le az új platformmal.

A Samsung eredetileg még 2006 során jelentette be, hogy elkészültek a PRAM (phase change random access memory) prototípusával, amely drasztikus mértékben megnövelheti a non-volatile flashmemóriák esetében megszokott átviteli sebességet, valamint az élettartamot. Ezt hosszú csend követte, időközben az Intel is megvillantotta eredményét, amelyet szintén a platformot eredetileg kialakító Ovonyx cég munkájára alapoztak, most pedig végre elérkeztünk az igazi áttöréshez.

A dél-koreai gyártó ugyanis bejelentette, hogy több hónapos csúszást követően végre elkészültek az első végleges példányokkal, amelyek a prototípushoz hasonlóan 512 Mb-es változatok, és továbbra is jelentős előrelépést ígérnek mindkét területen. Az első tesztek eredményei alapján arra számíthatunk, hogy a PRAM durván 7 és 10-szeres sebességnövekedést jelent majd az olvasás és írás terén, a fogyasztás pedig csökken, hiszen alapvetően sokkal egyszerűbb eljárással oldják meg az adattárolást - a Samsung 20 százalékkal hosszabb üzemidőt tart lehetségesnek egyedül ezen fejlesztés által a különféle hordozható eszközöknél.

A PRAM kalkogenid üveget használ fel, ami kiemelkedően gyorsan tudja váltogatni kristályos és amorf állapotát. A fenti adatokat a hagyományos NAND és NOR flashmemóriákkal összevetve érték el, ezt pedig megfejelik az írási ciklusok számának drasztikus növelésével, hiszen ezek a fejlesztések sokkal tovább lesznek majd működőképesek, mint elődeik. Az eleinte 60 nanométeres gyártástechnológiával készülő memóriachipek azonban csak az első lépést jelentik, a kereskedelmi forgalomban történő megjelenés után ugyanis még finomabb eljárást használnak majd.

Pontos megjelenési időt nem említenek a bejelentésben, de a Samsung arra számít, hogy egyik kulcsfontosságú fejlesztésük lesz a PRAM az elkövetkező időszakban.