Gyurkity Péter
Elkészült a fázisváltó memória
Az Intel és az STMicroelectronics elkészítette az első olyan prototípusokat, amelyeket már leszállíthattak a partnereknek. A fázisváltó memória mobiltelefonokban és beágyazott megoldásokban jelenhet meg elsőként.
A processzorgyártó közölte, hogy az első példányokat már leszállították a közelebbről meg nem nevezett partnereknek, így az MLC (multi-level cell) Phase Change Memory (PCM), vagyis a fázisváltó memória hamarosan megkezdheti hódító hadjáratát. A két gyártó a sikeren felbuzdulva elhatározta, hogy a jövőben egy új leány koncentrál majd a fejlesztésre, amely a Numonyx nevet kapta. Ennek kijelölt technológiai igazgatója, Ed Doller kijelentette, hogy a prototípusok megjelenése a non-volatile (nem-felejtő) memóriák terén az elmúlt 40 év legfontosabb előrelépésének tekinthető, amely megnyitja az utat a jelenlegi memóriaszabványok leváltása felé.
Miről is van szó pontosan? Arról már tavaly beszámoltunk, hogy az Intel előrehaladott fejlesztéseket folytat a területen, igaz akkor még arról szólt a fáma, hogy 2007 végére elkészülnek az első példányokkal. A cél egy olyan memóriaszabvány kidolgozása, amely ötvözi a RAM, illetve a NOR és NAND-flasmemória előnyeit, ez pedig - többek között - nagy sebességet, alacsony fogyasztást és hosszú élettartamot jelentene, ami a jelek szerint nem is lehetetlen. A fázisváltó memória ugyanis az irányított melegítés-lehűlés ciklusban amorf, vagy kristályos szerkezetet vesz föl, eszerint lesz nagy vagy kicsi az elektromos ellenállása. Az alkalmazott anyagok és technológia révén pedig lehetővé vált a korábbi korlátok átlépése.
Az Alverstone kódnéven jelzett megoldás egyik nagy előnye, hogy a NOR-flash 100 ezer, illetve a NAND-flashmemória 1 millió ciklusával szemben csak nagyjából 100 millió ciklus után romlik a teljesítmény, ám magas hőmérsékleten ugyanez a folyamat rendkívül gyorsan lejátszódhat. Amennyiben a mérnökök megoldást találnak erre a problémára, hamarosan megindulhat a kereskedelmi terjesztés. Ez azonban nagyban függ a kiválasztott partnerektől, mivel csak a kedvező válaszok esetén gyorsulhat fel a megjelenés.
Az Intel és az ST közös munkája eredményeként 2004-ben még egy 180 nanométeren készülő, 8 megabites eszközt mutattak be, ezt követte 2006-ban a 90 nanométeres és 128 megabites változat. Ez utóbbira épül a most elkészült prototípus is, amely azonban megfelelőnek találtatott arra, hogy néhány partnercég is kipróbálja azt saját készülékeiben. A lehetséges felhasználási területek között a mobiltelefonok, a beágyazott eszközök, MP3-lejátszók és egyéb hordozható fejlesztések, valamint a számítógépek jönnek számításba, az első két terület nyilván előnyben részesül.
Konkrét megjelenése dátumról, illetve a teljesítményről nem érkezett információ.
A processzorgyártó közölte, hogy az első példányokat már leszállították a közelebbről meg nem nevezett partnereknek, így az MLC (multi-level cell) Phase Change Memory (PCM), vagyis a fázisváltó memória hamarosan megkezdheti hódító hadjáratát. A két gyártó a sikeren felbuzdulva elhatározta, hogy a jövőben egy új leány koncentrál majd a fejlesztésre, amely a Numonyx nevet kapta. Ennek kijelölt technológiai igazgatója, Ed Doller kijelentette, hogy a prototípusok megjelenése a non-volatile (nem-felejtő) memóriák terén az elmúlt 40 év legfontosabb előrelépésének tekinthető, amely megnyitja az utat a jelenlegi memóriaszabványok leváltása felé.
Miről is van szó pontosan? Arról már tavaly beszámoltunk, hogy az Intel előrehaladott fejlesztéseket folytat a területen, igaz akkor még arról szólt a fáma, hogy 2007 végére elkészülnek az első példányokkal. A cél egy olyan memóriaszabvány kidolgozása, amely ötvözi a RAM, illetve a NOR és NAND-flasmemória előnyeit, ez pedig - többek között - nagy sebességet, alacsony fogyasztást és hosszú élettartamot jelentene, ami a jelek szerint nem is lehetetlen. A fázisváltó memória ugyanis az irányított melegítés-lehűlés ciklusban amorf, vagy kristályos szerkezetet vesz föl, eszerint lesz nagy vagy kicsi az elektromos ellenállása. Az alkalmazott anyagok és technológia révén pedig lehetővé vált a korábbi korlátok átlépése.
Az Alverstone kódnéven jelzett megoldás egyik nagy előnye, hogy a NOR-flash 100 ezer, illetve a NAND-flashmemória 1 millió ciklusával szemben csak nagyjából 100 millió ciklus után romlik a teljesítmény, ám magas hőmérsékleten ugyanez a folyamat rendkívül gyorsan lejátszódhat. Amennyiben a mérnökök megoldást találnak erre a problémára, hamarosan megindulhat a kereskedelmi terjesztés. Ez azonban nagyban függ a kiválasztott partnerektől, mivel csak a kedvező válaszok esetén gyorsulhat fel a megjelenés.
Az Intel és az ST közös munkája eredményeként 2004-ben még egy 180 nanométeren készülő, 8 megabites eszközt mutattak be, ezt követte 2006-ban a 90 nanométeres és 128 megabites változat. Ez utóbbira épül a most elkészült prototípus is, amely azonban megfelelőnek találtatott arra, hogy néhány partnercég is kipróbálja azt saját készülékeiben. A lehetséges felhasználási területek között a mobiltelefonok, a beágyazott eszközök, MP3-lejátszók és egyéb hordozható fejlesztések, valamint a számítógépek jönnek számításba, az első két terület nyilván előnyben részesül.
Konkrét megjelenése dátumról, illetve a teljesítményről nem érkezett információ.