Minden eddiginél nagyobb sebességet és hosszabb élettartamot ígér a Samsung a PRAM révén, amely a következő évtizedben cserélheti le a jelenlegi flashmemóriákat. A meglévő termékeknél tovább csökkentik a csíkszélességet.

A dél-koreai gyártó közleményben adta hírül, hogy elkészültek a PRAM első prototípusával, amely több szempontból is előrelépést jelent a jelenlegi NOR flashmemóriákkal szemben. A fejlesztés mérete, működési sebessége, valamint a gyártási procedúra leegyszerűsítése ugyanis jobb eredményeket ígér - a következő évtizedben, amikor az új generáció megkezdheti hódító útját.

Az 512 Mbites változatban készülő PRAM - teljes nevén fázisváltó véletlen elérésű memória - legnagyobb előnyeként a harmincszorosra ugrott sebességet említik, amelyet a hagyományos flashmemóriákhoz képest ér el. Ez elsősorban annak köszönhető, hogy az új adatok tárolása, pontosabban a meglévő állomány újraírása az utóbbi törlése nélkül biztosítható, miközben az élettartam a cég ígérete szerint a tízszeresére növekedik. A háromdimenziós tranzisztor struktúrának köszönhetően mindeközben lecsökken a méret, az egyéb fejlesztéseknek köszönhetően pedig a gyártási procedúra 20 lépéssel rövidebb.

Eközben a meglévő technológiák további finomítását is folytatják: elkészültek a 32 gigabites NAND flashmemóriák 40 nanométeres változatai. Ezeket a példányokat - amelyek immár a hetedik generáció tagjai - az új, akár 64 GB kapacitású memóriakártyákba szánják, megnyitva egyben az utat a 30, majd 20 nanométeres gyártástechnológia kifejlesztése felé. Az úgynevezett TANOS-struktúrában a hagyományos anyagok (szilícium) mellett tantál, aluminium-oxid, és nitridek kaptak helyet, ezek alkotják azt a megoldást, amely a gyártó szerint meghatározó lesz a következő évek fejlesztéseinél.

A Samsung arra számít, hogy a PRAM legkorábban 2008-ban bukkanhat fel, és különösen a multifunkciós hordozható eszközökben juthat fontos szerephez.