Gyurkity Péter
RAM-flash hibriden dolgozik az Intel
A processzorgyártó a héten partnerével közösen mutatja be fejlesztését, amely leválthatja a jelenleg használatos flashmemóriákat. A háromkapus tranzisztorok révén a chipeknél is megújulást ígérnek - az évtized végére.
Az EETimes beszámolója szerint az Intel és az ST Microelectronics szerdán tervezi bemutatni legújabb fejlesztését, amelyen egy időben, de mindeddig külön dolgoztak. A fejlesztés nem más, mint egy érdekes RAM-flash memóriahibrid, ami a két gyártó szerint nagyobb sebességével leválthatja a jelenlegi típusokat, sőt, idővel akár - egyfajta univerzális memóriaként - minden egyéb területen is otthonra találhat.
A VLSI szimpóziumon bemutatandó technológia a Phase Change Memory (PCM) nevet kapta, és eredetileg egy harmadik cég, az Ovonyx fejlesztése volt. Alapjaiban véve a PCM a hagyományos szilícium-alapú chiptechnológia és az újraírható optikai adathordozóknál használt anyagok egy részét hasznosítja, az ígéretek szerint megfelelőn kombinálva az adatok megőrzésének képességét a nagyobb sebességgel. A fejlesztő cégek a megbízhatóságot, a jó teljesítményt és az eddig mért kiváló teszteredményeket említik a megoldás előnyeiként, a részleteket azonban csak a bemutató után ismerhetjük meg.
A PCM alkalmazása azonban - legalábbis tömeges méretekben - csak a következő generációs gyártástechnológiák bevezetését követően kezdődhet meg. Ezt 2008-ra, a 45, illetve 32 nanométeres csíkszélesség megjelenésének idejére teszik, míg az első prototípusok jövőre érkezhetnek. A fejlesztés ütemét garantálhatja, hogy számos vállalat, így a Samsung, az IBM és a NEC is dolgozik az ügyön, igaz, elkülönülve egymástól. Az eddigi nyilatkozatokban több mint 10 billió műveletig terjedő élettartamról beszéltek, amely jócskán felülmúlja a jelenlegi flashmemóriák eredményét.
Az Intel eközben tovább dolgozik chiptechnológiáinak finomításán, és az évekkel ezelőtt emlegetett háromkapus tranzisztorok segítségével hosszabbítaná meg a híres Moore-törvény érvényességét. Hétfői bejelentésük szerint mérnökeiknek sikerült új eredményeket elérni a kutatásokban, így 2010-re beindulhat a sorozatgyártás. A 32 és 22 nanométeres csíkszélesség elérését lehetővé tévő fejlesztés révén 45 százalékkal javulhat a processzorok sebessége, miközben a fogyasztás 35 százalékkal mérséklődhet.
Az EETimes beszámolója szerint az Intel és az ST Microelectronics szerdán tervezi bemutatni legújabb fejlesztését, amelyen egy időben, de mindeddig külön dolgoztak. A fejlesztés nem más, mint egy érdekes RAM-flash memóriahibrid, ami a két gyártó szerint nagyobb sebességével leválthatja a jelenlegi típusokat, sőt, idővel akár - egyfajta univerzális memóriaként - minden egyéb területen is otthonra találhat.
A VLSI szimpóziumon bemutatandó technológia a Phase Change Memory (PCM) nevet kapta, és eredetileg egy harmadik cég, az Ovonyx fejlesztése volt. Alapjaiban véve a PCM a hagyományos szilícium-alapú chiptechnológia és az újraírható optikai adathordozóknál használt anyagok egy részét hasznosítja, az ígéretek szerint megfelelőn kombinálva az adatok megőrzésének képességét a nagyobb sebességgel. A fejlesztő cégek a megbízhatóságot, a jó teljesítményt és az eddig mért kiváló teszteredményeket említik a megoldás előnyeiként, a részleteket azonban csak a bemutató után ismerhetjük meg.
A PCM alkalmazása azonban - legalábbis tömeges méretekben - csak a következő generációs gyártástechnológiák bevezetését követően kezdődhet meg. Ezt 2008-ra, a 45, illetve 32 nanométeres csíkszélesség megjelenésének idejére teszik, míg az első prototípusok jövőre érkezhetnek. A fejlesztés ütemét garantálhatja, hogy számos vállalat, így a Samsung, az IBM és a NEC is dolgozik az ügyön, igaz, elkülönülve egymástól. Az eddigi nyilatkozatokban több mint 10 billió műveletig terjedő élettartamról beszéltek, amely jócskán felülmúlja a jelenlegi flashmemóriák eredményét.
Az Intel eközben tovább dolgozik chiptechnológiáinak finomításán, és az évekkel ezelőtt emlegetett háromkapus tranzisztorok segítségével hosszabbítaná meg a híres Moore-törvény érvényességét. Hétfői bejelentésük szerint mérnökeiknek sikerült új eredményeket elérni a kutatásokban, így 2010-re beindulhat a sorozatgyártás. A 32 és 22 nanométeres csíkszélesség elérését lehetővé tévő fejlesztés révén 45 százalékkal javulhat a processzorok sebessége, miközben a fogyasztás 35 százalékkal mérséklődhet.