Gyurkity Péter
Két éven belül lecserélné a szilíciumot az MIT
A kutatóintézet szakemberei új tranzisztortechnológián dolgoznak, amelyet ugyan korábban az Intel is kipróbált, ám konkrét megjelenési időponttal még nem álltak elő. Az MIT két éven belül elképzelhetőnek tartja a váltást.
A hagyományos szilícium felváltója az indium-gallium-arzenid, rövidebb nevén InGaAs lenne, amely az eddigi kutatások szerint sebességben és fizikai méretben továbblépést jelentene a megszokott megoldásokkal szemben. Alacsony feszültségen már bevált az új fejlesztés, amit az Intel is igyekezett üdvözölni, ám ez még csak az első lépés volt, a hordozható és egyéb eszközökben felhasználható prototípus megjelenéséig pedig további két év munka szükséges.
A kísérletben felhasznált tranzisztor mindössze 60 nanométeres példány volt, amely 0,5 voltos feszültségen kedvező eredményt produkált. Erről Robert Chau, az Intel tranzisztorkutatásokért felelős igazgatója beszélt elismerően, megemlítve, hogy a Jesus del Alamo professzor által vezetett csapat munkája áttörésként értékelhető. Az első nyilvános bemutatóra december 11-én, az IEEE International Electron Devices Meeting elnevezésű rendezvényen kerül majd sor, egyelőre mindössze ennyi derült ki a további tervekből.
A cél, hogy a gyártók tovább csökkentsék a tranzisztorok méretét, mégpedig átlépve a szilícium alapú technológia korlátait, amelyek az elmúlt években egyre gyakrabban kerültek szóba. Felhasználási területként a hordozható lejátszók, laptopok, autók, konyhai felszerelések, hagyományos számítógépek, egyszóval minden szegmens szóba került, hiszen sokan várnak az igazi áttörésre. Az egyetlen problémát az indium-gallium-arzenid sérülékenysége jelenti: míg a hagyományos szilíciumlemezek nagysága a 30 centimétert is elérheti, az InGaAs kristályai törékenyek, ezért nem lehet belőlük nagyobb felületet létrehozni.
Egyes vélemények szerint emiatt ezek az anyagok soha nem fogják teljesen kiszorítani a szilíciumot, mások viszont abban reménykednek, hogy megoldást találhatnak a problémára.
A hagyományos szilícium felváltója az indium-gallium-arzenid, rövidebb nevén InGaAs lenne, amely az eddigi kutatások szerint sebességben és fizikai méretben továbblépést jelentene a megszokott megoldásokkal szemben. Alacsony feszültségen már bevált az új fejlesztés, amit az Intel is igyekezett üdvözölni, ám ez még csak az első lépés volt, a hordozható és egyéb eszközökben felhasználható prototípus megjelenéséig pedig további két év munka szükséges.
A kísérletben felhasznált tranzisztor mindössze 60 nanométeres példány volt, amely 0,5 voltos feszültségen kedvező eredményt produkált. Erről Robert Chau, az Intel tranzisztorkutatásokért felelős igazgatója beszélt elismerően, megemlítve, hogy a Jesus del Alamo professzor által vezetett csapat munkája áttörésként értékelhető. Az első nyilvános bemutatóra december 11-én, az IEEE International Electron Devices Meeting elnevezésű rendezvényen kerül majd sor, egyelőre mindössze ennyi derült ki a további tervekből.
A cél, hogy a gyártók tovább csökkentsék a tranzisztorok méretét, mégpedig átlépve a szilícium alapú technológia korlátait, amelyek az elmúlt években egyre gyakrabban kerültek szóba. Felhasználási területként a hordozható lejátszók, laptopok, autók, konyhai felszerelések, hagyományos számítógépek, egyszóval minden szegmens szóba került, hiszen sokan várnak az igazi áttörésre. Az egyetlen problémát az indium-gallium-arzenid sérülékenysége jelenti: míg a hagyományos szilíciumlemezek nagysága a 30 centimétert is elérheti, az InGaAs kristályai törékenyek, ezért nem lehet belőlük nagyobb felületet létrehozni.
Egyes vélemények szerint emiatt ezek az anyagok soha nem fogják teljesen kiszorítani a szilíciumot, mások viszont abban reménykednek, hogy megoldást találhatnak a problémára.