Franczy
Új AMD fejlesztések
A San Franciscóban zajló International Electron Devices Meeting (IEDM) nevezetű rendezvény keretein belül az Advanced Micro Devices (AMD) várhatóan számos olyan kutatásról és fejlesztésről fog beszámolni, melyek eredményével akár már néhány éven belül is találkozhatunk a cég különböző termékei kapcsán.
Várakozások szerint a chipgyártó munkatársai több előadást tartanak majd arról, hogy az AMD milyen következő generációs tranzisztorok fejlesztésén munkálkodik. Az AMD fejlesztőmérnökei egyébként a Kaliforniai Egyetem kutatóinak hathatós segítségét élvezve folytatják azon kutatásaikat, melyek olyan újgenerációs tranzisztorok kifejlesztésére irányulnak, melyek segítségével minden korábbinál nagyobb teljesítményű processzorokat lehet majd előállítani.
Tudni lehet, hogy az AMD nagy jövőt szán az úgynevezett FinFET-eknek (Fin Field Effect Transistor), mely tranzisztorok akár kétszer nagyobb áramterhelésnek is kitehetők, valamint ugyancsak előnyös, hogy a FinFET-ek kapcsolási karakterisztikája sokkal jobb, mint a jelenleg széles körben használatos tranzisztoroké. Az AMD munkatársai úgy vélekednek, hogy az újgenerációs FinFET-ek egyrészt apróbb méretekkel rendelkeznek majd, mint a jelenlegi tranzisztorok, másrészt pedig sokkal nagyobb teljesítményű processzorok lesznek előállíthatók a segítségükkel. Ugyancsak figyelemre méltó, hogy az AMD szerint ezen újfajta tranzisztorok előállításához nagyrészt megfelelnek a jelenleg használatos chipgyártási technológiák. A chipgyártó egyébként idén szeptemberben már be is mutatott egy olyan FinFET-et, melynek kapuhossza mindössze 10, azaz tíz nanométer volt. Ide kapcsolódó hír, hogy az IBM e héten egy olyan új tranzisztort jelentett be, mely 6 nanométeres kapuhossza révén jelen pillanatban a világ legkisebb működőképes tranzisztora.
Az említett rangos szakmai rendezvény keretein belül az AMD várhatóan azon vadonatúj flashmemória fejlesztéseiről is be fog számolni, mely fejlesztéseket a Stanford Egyetem kutatóival közösen végez. Ezen újgenerációs flashmemóriák már 0,065 mikronos gyártási technológiák segítségével fognak készülni, és olyan szilícium-alapú, úgynevezett nanovezetékek kapnak majd helyet bennük, melyek vastagsága mindössze 5 nanométer lesz. Az új flashmemóriák az ígéretek szerint nagyobb kapacitásúak, gyorsabb működésűek és egyben kisebb fogyasztásúak lesznek elődeiknél.
Várakozások szerint a chipgyártó munkatársai több előadást tartanak majd arról, hogy az AMD milyen következő generációs tranzisztorok fejlesztésén munkálkodik. Az AMD fejlesztőmérnökei egyébként a Kaliforniai Egyetem kutatóinak hathatós segítségét élvezve folytatják azon kutatásaikat, melyek olyan újgenerációs tranzisztorok kifejlesztésére irányulnak, melyek segítségével minden korábbinál nagyobb teljesítményű processzorokat lehet majd előállítani.
Tudni lehet, hogy az AMD nagy jövőt szán az úgynevezett FinFET-eknek (Fin Field Effect Transistor), mely tranzisztorok akár kétszer nagyobb áramterhelésnek is kitehetők, valamint ugyancsak előnyös, hogy a FinFET-ek kapcsolási karakterisztikája sokkal jobb, mint a jelenleg széles körben használatos tranzisztoroké. Az AMD munkatársai úgy vélekednek, hogy az újgenerációs FinFET-ek egyrészt apróbb méretekkel rendelkeznek majd, mint a jelenlegi tranzisztorok, másrészt pedig sokkal nagyobb teljesítményű processzorok lesznek előállíthatók a segítségükkel. Ugyancsak figyelemre méltó, hogy az AMD szerint ezen újfajta tranzisztorok előállításához nagyrészt megfelelnek a jelenleg használatos chipgyártási technológiák. A chipgyártó egyébként idén szeptemberben már be is mutatott egy olyan FinFET-et, melynek kapuhossza mindössze 10, azaz tíz nanométer volt. Ide kapcsolódó hír, hogy az IBM e héten egy olyan új tranzisztort jelentett be, mely 6 nanométeres kapuhossza révén jelen pillanatban a világ legkisebb működőképes tranzisztora.
Az említett rangos szakmai rendezvény keretein belül az AMD várhatóan azon vadonatúj flashmemória fejlesztéseiről is be fog számolni, mely fejlesztéseket a Stanford Egyetem kutatóival közösen végez. Ezen újgenerációs flashmemóriák már 0,065 mikronos gyártási technológiák segítségével fognak készülni, és olyan szilícium-alapú, úgynevezett nanovezetékek kapnak majd helyet bennük, melyek vastagsága mindössze 5 nanométer lesz. Az új flashmemóriák az ígéretek szerint nagyobb kapacitásúak, gyorsabb működésűek és egyben kisebb fogyasztásúak lesznek elődeiknél.