Franczy
DDR-III SDRAM memóriák 2007-ben
A napokban megrendezett JEDEX szakmai konferencián számos új információ hangzott el a DDR-III SDRAM memóriákról, melyek az ígéretek szerint kétszer nagyobb teljesítményre lesznek képesek a DDR-II memóriáknál. A konferencián többek közt szó esett arról, hogy az Electronic Industries Alliance félvezetők műszaki szabványosításával foglalkozó testülete, a JEDEC Solid State Technology Association nemrégiben megkezdte a harmadik generációs DDR memóriákkal kapcsolatos munkálatokat, noha - mint az köztudott - egyelőre még a DDR-II memóriák is váratnak magukra.
A JEDEC előzetes információi szerint a DDR-III SDARM memóriachipek vezetékenkénti adatátviteli sebessége 800 Mbit/s-nál fog kezdődni, és idővel akár a 1,5 Gbit/s-os is meghaladhatja majd. A harmadik generációs DDR memóriák kapcsán azonban nemcsak a minden korábbinál nagyobb adatátviteli sebességről, hanem a rendkívül alacsony fogyasztásról is említést kell tennünk, mely nagyrészt annak köszönhető, hogy a DDR-III memóriachipek működéséhez mindössze 1,2-1,5 V-os feszültség szükségeltetik majd. Mint ismeretes, a jelenlegi DDR memóriák 2,5 V-os, a közeljövőben bemutatkozó DDR-II memóriák pedig 1,8 V-os feszültséget igényelnek. Minden apró feszültségcsökkentés nagyon komoly pozitív hatást gyakorol a chipek teljesítményfelvételére - nyilatkozta az üggyel kapcsolatban Kevin Ryan, az egyik legnagyobb amerikai memóriagyártó cég, a Micron Technology stratégiai marketing részlegének az igazgatója.
William Shen, az Infineon Technologies North America memóriák fejlesztésével foglalkozó részlegének marketing menedzsere elmondta, hogy véleménye szerint az első DDR-III SDRAM memóriachipek 4 Gbit-es sűrűséggel fognak rendelkezni, valamint utalt arra, hogy a JEDEC testülete legkorábban várhatóan 2005 végén véglegesíti majd a DDR-III szabványt. Mindez azt jelenti, hogy az új BGA tokozással rendelkező első DDR-III memóriák várhatóan valamikor 2006-ban fognak elkészülni, a DDR-III chipek sorozatgyártása pedig nagy valószínűséggel csak 2007-ben fog megkezdődni. A DDR-III chipek egyébként a várakozások szerint el lesznek látva azzal az úgynevezett SLT (Short-Loop Through) technológiával, melyet a gyártók már a DDR-II memóriák esetében is alkalmazni kívánnak, és amely technológia a magas frekvenciák mellett keletkező zajok hathatós csökkentésére hivatott.
A JEDEC előzetes információi szerint a DDR-III SDARM memóriachipek vezetékenkénti adatátviteli sebessége 800 Mbit/s-nál fog kezdődni, és idővel akár a 1,5 Gbit/s-os is meghaladhatja majd. A harmadik generációs DDR memóriák kapcsán azonban nemcsak a minden korábbinál nagyobb adatátviteli sebességről, hanem a rendkívül alacsony fogyasztásról is említést kell tennünk, mely nagyrészt annak köszönhető, hogy a DDR-III memóriachipek működéséhez mindössze 1,2-1,5 V-os feszültség szükségeltetik majd. Mint ismeretes, a jelenlegi DDR memóriák 2,5 V-os, a közeljövőben bemutatkozó DDR-II memóriák pedig 1,8 V-os feszültséget igényelnek. Minden apró feszültségcsökkentés nagyon komoly pozitív hatást gyakorol a chipek teljesítményfelvételére - nyilatkozta az üggyel kapcsolatban Kevin Ryan, az egyik legnagyobb amerikai memóriagyártó cég, a Micron Technology stratégiai marketing részlegének az igazgatója.
William Shen, az Infineon Technologies North America memóriák fejlesztésével foglalkozó részlegének marketing menedzsere elmondta, hogy véleménye szerint az első DDR-III SDRAM memóriachipek 4 Gbit-es sűrűséggel fognak rendelkezni, valamint utalt arra, hogy a JEDEC testülete legkorábban várhatóan 2005 végén véglegesíti majd a DDR-III szabványt. Mindez azt jelenti, hogy az új BGA tokozással rendelkező első DDR-III memóriák várhatóan valamikor 2006-ban fognak elkészülni, a DDR-III chipek sorozatgyártása pedig nagy valószínűséggel csak 2007-ben fog megkezdődni. A DDR-III chipek egyébként a várakozások szerint el lesznek látva azzal az úgynevezett SLT (Short-Loop Through) technológiával, melyet a gyártók már a DDR-II memóriák esetében is alkalmazni kívánnak, és amely technológia a magas frekvenciák mellett keletkező zajok hathatós csökkentésére hivatott.