Franczy
AMD: a világ leggyorsabb CMOS tranzisztora
Az Advanced Micro Devices (AMD) képviselői a tegnapi nap folyamán bejelentették, hogy a cég boszorkánykonyháiban elkészítették a világ leggyorsabb, azaz legkisebb kapcsolási idejű CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) tranzisztorát. A cég képviselői a bejelentés kapcsán elmondták, hogy a legfejlettebb technológiák segítségével előállított újgenerációs CMOS tranzisztor kapuhossza mindössze 0,015 mikron, azaz egész pontosan 15 nanométer, és hogy a cég reményei szerint a következő generációs AMD mikroprocesszorok esetében már ilyen kifinomult technológiával készülő tranzisztorokat alkalmaznak majd.
Az AMD szerint a most bemutatott CMOS tranzisztor prototípus rendkívül fontos mérföldkövet jelent a maga nemében, ugyanis az ilyen tranzisztorokra épülő új mikroprocesszorok az évtized végére a jelenlegi processzorokhoz képest mintegy hússzor több tranzisztort tartalmaznak majd, mely a legrosszabb esetben is tízszeres teljesítménynövekedéssel kecsegtet. Az AMD új tranzisztoráról egyelőre nem túl sok konkrétumot lehet tudni, de a cég vezető technológusai az e héten Washingtonban megrendezésre kerülő IEDM 2001 (International Electron Devices Meeting) konferencia keretein belül várhatóan számos technológiai részletet elárulnak majd az újdonsággal kapcsolatban. Az IEDM konferenciáról egyébként annyit érdemes tudni, hogy az egyik legrangosabb, évenként megrendezésre kerülő szakmai konferencia, melyen a félvezetőiparban érdekelt nagyobb cégek mérnökei és tudósai vesznek részt.
Visszatérve az AMD által most bejelentett újgenerációs CMOS tranzisztorra, az AMD szerint az újdonság 15 nanométeres kapuhosszúsága révén kulcsszerepet játszik majd a 0,03 mikronos, azaz 30 nanométeres gyártási technológiával készülő processzorok esetében, mely chipekre azonban még jó darabig várnunk kell, hiszen a félvezetőipari gyártási technológiák körülbelül 2009-re érik el az ilyen finom csíkszélességű processzorok előállításához szükséges fejlettségi szintet. Az AMD roadmapje, azaz ütemterve szerint is körülbelül 2009-re tehető, mire a 0,03 mikronos csíkszélességű processzorok sorozatgyártásra kerülnek, mely chipek egyébként a jelenlegi tervek szerint 300 milliméteres szilíciumszeletekből készülnek majd.
Az AMD új tranzisztor prototípusáról ezenkívül tudni lehet, hogy működéséhez 0,8 V-os feszültséget igényel, kapcsolási ideje pedig 0,3 pikoszekundum, ami azt jelenti, hogy a tranzisztor másodpercenként mintegy 3,33 billió kapcsolásra képes, ez pedig pestiesen szólva nem semmi.
Az AMD szerint a most bemutatott CMOS tranzisztor prototípus rendkívül fontos mérföldkövet jelent a maga nemében, ugyanis az ilyen tranzisztorokra épülő új mikroprocesszorok az évtized végére a jelenlegi processzorokhoz képest mintegy hússzor több tranzisztort tartalmaznak majd, mely a legrosszabb esetben is tízszeres teljesítménynövekedéssel kecsegtet. Az AMD új tranzisztoráról egyelőre nem túl sok konkrétumot lehet tudni, de a cég vezető technológusai az e héten Washingtonban megrendezésre kerülő IEDM 2001 (International Electron Devices Meeting) konferencia keretein belül várhatóan számos technológiai részletet elárulnak majd az újdonsággal kapcsolatban. Az IEDM konferenciáról egyébként annyit érdemes tudni, hogy az egyik legrangosabb, évenként megrendezésre kerülő szakmai konferencia, melyen a félvezetőiparban érdekelt nagyobb cégek mérnökei és tudósai vesznek részt.
Visszatérve az AMD által most bejelentett újgenerációs CMOS tranzisztorra, az AMD szerint az újdonság 15 nanométeres kapuhosszúsága révén kulcsszerepet játszik majd a 0,03 mikronos, azaz 30 nanométeres gyártási technológiával készülő processzorok esetében, mely chipekre azonban még jó darabig várnunk kell, hiszen a félvezetőipari gyártási technológiák körülbelül 2009-re érik el az ilyen finom csíkszélességű processzorok előállításához szükséges fejlettségi szintet. Az AMD roadmapje, azaz ütemterve szerint is körülbelül 2009-re tehető, mire a 0,03 mikronos csíkszélességű processzorok sorozatgyártásra kerülnek, mely chipek egyébként a jelenlegi tervek szerint 300 milliméteres szilíciumszeletekből készülnek majd.
Az AMD új tranzisztor prototípusáról ezenkívül tudni lehet, hogy működéséhez 0,8 V-os feszültséget igényel, kapcsolási ideje pedig 0,3 pikoszekundum, ami azt jelenti, hogy a tranzisztor másodpercenként mintegy 3,33 billió kapcsolásra képes, ez pedig pestiesen szólva nem semmi.