Franczy
Már ma elérhető a 40 nanométeres csíkszélesség
Az Infineon Technologies cég képviselői a napokban bejelentették, hogy a cég müncheni Corporate Research laboratóriumában a jelenlegi integrált áramköri technológiák segítségével is sikerült létrehozni olyan kísérleti áramköröket, melyek kereskedelmi forgalomban optimista becslések szerint is csak 2011-2014 táján jelenhetnek majd meg.
A német Infineon cég kutatóinak és tudósainak ugyanis a mai technológiák mellett is sikerült 40 és 50 nanométeres szélességű fémvezetékeket létrehozniuk egy dielektromos filmréteg barázdáiban, ami szenzációs teljesítményt jelent. Az Infineon szakemberei elmondták, hogy az ilyen rendkívül alacsony csíkszélesség elérésével és az elvégzett mérésekkel be tudták bizonyítani, hogy a következő generációs processzorok 40-50 nanométeres gyártási technológiával való gyártása igenis lehetséges, és nem ütközik semmilyen komolyabb technikai akadályba.
Az Infineon kutató természetesen hangsúlyozták, hogy a 40-50 nanométeres csíkszélességgel készült fémvezetékek manapság még csak kísérleti célokra, laboratóriumi környezetekben állíthatóak elő, ugyanis az ilyen rendkívül alacsony csíkszélességű processzorok sorozatgyártásához olyan litográfiai berendezések lennének szükségesek, melyek ma még nem léteznek, és becslések szerint a legjobb esetben is csak 2011-2014 táján lesznek majd legyárthatóak. Az Infineon cég tudósai úgy kerülték ki a megfelelő litográfiai berendezések hiányából eredő problémákat, hogy egyéb különleges kísérleti eszközökkel sikerült leszűkíteniük az alkalmazott maszkok nyílásait, és ilymódon sikerült létrehozniuk a 40-50 nanométeres szélességű áramköri elemeket a dielektomos filmrétegen.
Az Infineon cég által a kísérletekhez használt szilícium szeleteket napjainkban teljesen hagyományosnak számító technológiák segítségével állították elő az austini (Texas) székhelyű International Sematech cég tisztaszobáiban. Az Infineon szakemberei szerint az ultravékony csíkszélességgel kapcsolatos sikeres kísérletek azt bizonyítják, hogy 2014-15-ig még mindenképpen megfelelőek a jelenlegi alapelveken működő chipgyártási technológiák, vagyis addig nem kell forradalmi újításokra számítani ebben az ipari szegmensben.
A német Infineon cég kutatóinak és tudósainak ugyanis a mai technológiák mellett is sikerült 40 és 50 nanométeres szélességű fémvezetékeket létrehozniuk egy dielektromos filmréteg barázdáiban, ami szenzációs teljesítményt jelent. Az Infineon szakemberei elmondták, hogy az ilyen rendkívül alacsony csíkszélesség elérésével és az elvégzett mérésekkel be tudták bizonyítani, hogy a következő generációs processzorok 40-50 nanométeres gyártási technológiával való gyártása igenis lehetséges, és nem ütközik semmilyen komolyabb technikai akadályba. Az Infineon kutató természetesen hangsúlyozták, hogy a 40-50 nanométeres csíkszélességgel készült fémvezetékek manapság még csak kísérleti célokra, laboratóriumi környezetekben állíthatóak elő, ugyanis az ilyen rendkívül alacsony csíkszélességű processzorok sorozatgyártásához olyan litográfiai berendezések lennének szükségesek, melyek ma még nem léteznek, és becslések szerint a legjobb esetben is csak 2011-2014 táján lesznek majd legyárthatóak. Az Infineon cég tudósai úgy kerülték ki a megfelelő litográfiai berendezések hiányából eredő problémákat, hogy egyéb különleges kísérleti eszközökkel sikerült leszűkíteniük az alkalmazott maszkok nyílásait, és ilymódon sikerült létrehozniuk a 40-50 nanométeres szélességű áramköri elemeket a dielektomos filmrétegen.
Az Infineon cég által a kísérletekhez használt szilícium szeleteket napjainkban teljesen hagyományosnak számító technológiák segítségével állították elő az austini (Texas) székhelyű International Sematech cég tisztaszobáiban. Az Infineon szakemberei szerint az ultravékony csíkszélességgel kapcsolatos sikeres kísérletek azt bizonyítják, hogy 2014-15-ig még mindenképpen megfelelőek a jelenlegi alapelveken működő chipgyártási technológiák, vagyis addig nem kell forradalmi újításokra számítani ebben az ipari szegmensben.