Gyurkity Péter
Gyártástechnológiai fejlesztéseket vezet be az Intel
Az Intel bejelentette, hogy a 65 nanométeres technológiára történő átállással egy időben olyan újításokat is bevezetnek, amik lehetővé teszik, hogy kedvező fogyasztás mellett nagyobb teljesítményt préseljenek ki termékeikből.
A következő generációs chipgyártó technológiák jelentős mérföldkövéhez ért az Intel. A vállalat teljesen működőképes 70 megabites SRAM chipeket épített, több mint félmilliárd tranzisztorral, a világ legfejlettebb 65 nanométeres gyártási eljárásával. Az új technológiában (a nanométer a méter egymilliárdod része) lévő tranzisztorokban 35 nm-es hosszúságú, a tranzisztort ki- és bekapcsoló kapuk találhatók, amik hozzávetőlegesen 30 százalékkal kisebbek, mint a 90 nm-es technológia esetén. Összehasonlításképpen: 100 ilyen kapu egy emberi vörösvérsejt átmérőjével megegyező nagyságú.
A 65 nanométeres eljárással készült 70 megabites SRAM chip
Mark Bohr, a processzortervezéssel foglalkozó csoport vezetője elmondta, hogy a 65 nanométeres technológiával készülő processzorok már 2005-ben megjelenhetnek, miután a közelmúltban SRAM chipekkel lefolytatott kísérleteik sikeresnek bizonyultak. Bohr elmondása szerint a kedvező eredményeket az úgynevezett "nyújtott szilícium" (strained silicon) technológia továbbfejlesztésével érték el. Az új technológia révén - amely az Intel 90 nanométeres technológiával készülő processzoraiban mutatkozott be - széthúzzák a mikrochipek alapját képező szilíciumot, felgyorsítva ezzel a tranzisztorokon áthaladó elektronok sebességét, melynek következtében megnő a félvezetők teljesítménye és csökken az áramfelvételük.
Az új gyártási technológia megnöveli az egy chipbe sűrített apró tranzisztorok számát, így megteremti a vállalat számára azt az alapot, melyre a jövő többmagos processzorait építheti, illetve amely által következő generációs termékeibe további innovatív képességeket építhet, beleértve a virtualizációt és a fejlettebb biztonsági lehetőségeket.
Az Intel - és az IBM korábbi - tapasztalatai szerint a technológia révén akár 30-35 százalékkal növelhető a processzorok teljesítménye, és jelentős mértékben csökkenthető az anyag ellenállása. A tervek szerint az új processzorok olyan tranzisztorokat is tartalmaznak majd, amelyek lekapcsolhatják a processzor bizonyos részeit - egyéb tranzisztorokat - így tovább csökkenthető a chipek fogyasztása.
"A nyújtott szilícium révén az Intel egy generációval előrébb jár" - jelentette ki Bohr, bár az IBM - amely elsőként alkalmazta az új technológiát - és az AMD is bejelentette, hogy mérnökeik hasonló megoldáson dolgoznak. Elmondása szerint az első 65 nanométeres technológiával készülő chipek 2005 végén készülnek el Oregonban, majd Arizonában és Írországban. Hozzátette, hogy az új technológiára történő átállás jóval kevesebb gondot okoz majd, mint a 90 nanométeres termékek bevezetése, hiszen akkor jóval több belső változatást kellett végrehajtaniuk.
A következő generációs chipgyártó technológiák jelentős mérföldkövéhez ért az Intel. A vállalat teljesen működőképes 70 megabites SRAM chipeket épített, több mint félmilliárd tranzisztorral, a világ legfejlettebb 65 nanométeres gyártási eljárásával. Az új technológiában (a nanométer a méter egymilliárdod része) lévő tranzisztorokban 35 nm-es hosszúságú, a tranzisztort ki- és bekapcsoló kapuk találhatók, amik hozzávetőlegesen 30 százalékkal kisebbek, mint a 90 nm-es technológia esetén. Összehasonlításképpen: 100 ilyen kapu egy emberi vörösvérsejt átmérőjével megegyező nagyságú.
A 65 nanométeres eljárással készült 70 megabites SRAM chip
Mark Bohr, a processzortervezéssel foglalkozó csoport vezetője elmondta, hogy a 65 nanométeres technológiával készülő processzorok már 2005-ben megjelenhetnek, miután a közelmúltban SRAM chipekkel lefolytatott kísérleteik sikeresnek bizonyultak. Bohr elmondása szerint a kedvező eredményeket az úgynevezett "nyújtott szilícium" (strained silicon) technológia továbbfejlesztésével érték el. Az új technológia révén - amely az Intel 90 nanométeres technológiával készülő processzoraiban mutatkozott be - széthúzzák a mikrochipek alapját képező szilíciumot, felgyorsítva ezzel a tranzisztorokon áthaladó elektronok sebességét, melynek következtében megnő a félvezetők teljesítménye és csökken az áramfelvételük.
Az új gyártási technológia megnöveli az egy chipbe sűrített apró tranzisztorok számát, így megteremti a vállalat számára azt az alapot, melyre a jövő többmagos processzorait építheti, illetve amely által következő generációs termékeibe további innovatív képességeket építhet, beleértve a virtualizációt és a fejlettebb biztonsági lehetőségeket.
Az Intel - és az IBM korábbi - tapasztalatai szerint a technológia révén akár 30-35 százalékkal növelhető a processzorok teljesítménye, és jelentős mértékben csökkenthető az anyag ellenállása. A tervek szerint az új processzorok olyan tranzisztorokat is tartalmaznak majd, amelyek lekapcsolhatják a processzor bizonyos részeit - egyéb tranzisztorokat - így tovább csökkenthető a chipek fogyasztása.
"A nyújtott szilícium révén az Intel egy generációval előrébb jár" - jelentette ki Bohr, bár az IBM - amely elsőként alkalmazta az új technológiát - és az AMD is bejelentette, hogy mérnökeik hasonló megoldáson dolgoznak. Elmondása szerint az első 65 nanométeres technológiával készülő chipek 2005 végén készülnek el Oregonban, majd Arizonában és Írországban. Hozzátette, hogy az új technológiára történő átállás jóval kevesebb gondot okoz majd, mint a 90 nanométeres termékek bevezetése, hiszen akkor jóval több belső változatást kellett végrehajtaniuk.
Hatékonyabb akkor lenne.