A Samsung bemutatta flashmemória-sorozatának legújabb tagját, amely már 30 nanométeres csíkszélességgel készül. A 64 Gbites NAND flashchip akár 128 GB-os modulok gyártását is lehetővé teszi.

Távol-keleti jelentések arról számoltak be, hogy a Samsung tovább tökéletesítette flashmemória-sorozatát. Ezúttal is a gyártástechnológiát és ezzel együtt a sebességet sikerült javítani, ám a kereskedelmi forgalomban legkorábban két éven belül jelennek meg a vadonatúj fejlesztések. Egyelőre tehát van tartalék a technológiában, nyitott az új a további lépések felé.


A Samsung által közölt adatok szerint az új NAND prototípus 64 Gbites, 30 nanométeren készül, és lehetővé teszi a 128 GB-os memóriakártyák sorozatgyártásának beindítását. Ezzel új változatok kerülhetnek a különböző hordozható eszközökben és a gyártó azt reméli, hogy az új változat révén 20 milliárd dolláros piac nyílhat meg előtte az elkövetkező három évben. Az első példányok 2009-ben jelennek meg, akkorra tervezik ugyanis a sorozatgyártás beindítását és felfuttatását.


A flashmemória fejlesztése folyamatos: jelenleg a Samsung kínálatában még az 50 nanométeren készülő példányok vannak többségben, vagyis a boltok polcairól többnyire ezen változatokat szerezhetjük be. Már tavaly bejelentették a 40 nanométeren legyártott első 32 Gb-es példányokat, ezek idén jelentek meg. Az új fejlesztések érkezésével a cég szerint az idei sorrendben a hetedik év, amelyben sikerült leszorítani a csíkszélességet, és megszakítás nélkül a nyolcadik alkalommal tudták növelni a sűrűséget - ez a kettő nyilván megint csak összefügg.

Az új típus fejlesztésével kapcsolatban a Samsung összesen 30 szabadalmi kérelmet nyújtott be Dél-Koreában.