JohnnyCage
Intel: jó úton halad a háromkapus tranzisztor fejlesztése
A chipóriás Intel szerint a Tri-Gate tranzisztorok fejlesztése igen jól halad, így a megoldás várhatóan néhány éven belül megjelenik a piacon forgalmazott processzorokban.
A három bemenettel rendelkező tranzisztorok komoly előrelépést fognak jelenteni a mikroprocesszorok és egyéb chipek területén. Mint Ken David, az Intel Technology Manufacturing Group részlegének komponens fejlesztéssel foglalkozó igazgatója elmondta, a Tri-Gate tranzisztor a társaság fő fejlesztési vonalán kapott helyet. Mindez azt jelenti, hogy a megoldás 2007-re megjelenhet a piaci forgalomba hozott chipekben.
"Túljutottunk a kutatási fázison, és megkezdtük a megoldás kifejlesztését" - mondta David. "Egy, legfeljebb két éven belül rendelkezni fogunk azzal a megközelítéssel, amelyet végülis alkalmazni fogunk a Tri-Gate tranzisztorok előállításához" - tette hozzá a vezető.
A kutatók egyik legnagyobb problémája az, hogy a teljesítmény és a komplexitás növelése érdekében egyre kisebbre zsugorított chipek, illetve a bennük található tranzisztorok jelentős áramszivárgással rendelkeznek, amely növeli a fogyasztást, és a hőtermelést. A Tri-Gate tranzisztorok úgy próbálják orvosolni a problémát, hogy elnevezésüknek megfelelően három kaput tartalmaznak, amely összeségében megnövelt kapu felületet eredményez. A hagyományos kapuk lapos kialakításúak, az áram pedig közvetlenül alattuk folyik. A Tri-Gate tranzisztorok kapui egy csőre emlékeztetnek, amelyben az áram belül folyik.
A nagyobb kapufelület gyorsabb kapcsolást, kisebb áramszivárgást tesz lehetővé. Az Intel által kifejlesztett Tri-Gate tranzisztorok kapumérete jelenleg 30 nm, az egész tranzisztor pedig 45 nm helyet foglal el. A megoldás a 2007-re várható piaci debütálásig 20 nm-esre zsugorodik.
A három bemenettel rendelkező tranzisztorok komoly előrelépést fognak jelenteni a mikroprocesszorok és egyéb chipek területén. Mint Ken David, az Intel Technology Manufacturing Group részlegének komponens fejlesztéssel foglalkozó igazgatója elmondta, a Tri-Gate tranzisztor a társaság fő fejlesztési vonalán kapott helyet. Mindez azt jelenti, hogy a megoldás 2007-re megjelenhet a piaci forgalomba hozott chipekben.
"Túljutottunk a kutatási fázison, és megkezdtük a megoldás kifejlesztését" - mondta David. "Egy, legfeljebb két éven belül rendelkezni fogunk azzal a megközelítéssel, amelyet végülis alkalmazni fogunk a Tri-Gate tranzisztorok előállításához" - tette hozzá a vezető.
A kutatók egyik legnagyobb problémája az, hogy a teljesítmény és a komplexitás növelése érdekében egyre kisebbre zsugorított chipek, illetve a bennük található tranzisztorok jelentős áramszivárgással rendelkeznek, amely növeli a fogyasztást, és a hőtermelést. A Tri-Gate tranzisztorok úgy próbálják orvosolni a problémát, hogy elnevezésüknek megfelelően három kaput tartalmaznak, amely összeségében megnövelt kapu felületet eredményez. A hagyományos kapuk lapos kialakításúak, az áram pedig közvetlenül alattuk folyik. A Tri-Gate tranzisztorok kapui egy csőre emlékeztetnek, amelyben az áram belül folyik.
A nagyobb kapufelület gyorsabb kapcsolást, kisebb áramszivárgást tesz lehetővé. Az Intel által kifejlesztett Tri-Gate tranzisztorok kapumérete jelenleg 30 nm, az egész tranzisztor pedig 45 nm helyet foglal el. A megoldás a 2007-re várható piaci debütálásig 20 nm-esre zsugorodik.