JohnnyCage
A NEC 2003-ra tervezi a 100 nm-es technológia bevezetését
[SiliconStrategies] A NEC Corp. bejelentése szerint a társaság 2003-ra tervezi az első olyan chipek megjelenését, amelyeket a társaság a tajvani TSMC-vel (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) közösen fejleszt.
Az új technológia fejlesztését számos új, rendkívül vékony, filmszerű anyag, valamint több új gyártási lépés felhasználásával fog megvalósulni. Az új 100 nm-es csíkszélességű gyártási eljárás azonban olyan tranzisztorok és azokból épülő chipek kifejlesztését teszi majd lehetővé, amelyek 1 Voltos tápfeszültség mellett akár jóval 1 GHz fölötti órajeltartományokat is meghódíthatnak.
Az UX6 elnevezésű alaptechnológiában foglalt 193 nm-es litográfiai eljárást alkalmazó technológiát a NEC tajvan legnagyobb chipgyártójával, a Transmeta Crusoe és a VIA Technologies különféle chipjeit gyártó Taiwan Semiconductor Manufacturing Company-val (TSMC) együtt fejleszti. Az első ilyen módszerrel készülő System-on-Chip (rendszer a chipben) megoldások a társaság elmondása szerint 2003-ben jelenhetnek meg.
A japán chipgyártó elmondása szerint az új gyártástechnológia a következő generációs chipek alapja lehet a jövő digitális szórakoztatóelektronikai, mobilkommunikációs és hálózati eszközeiben, valamint az internetes szerverekben. Az eljárás mindössze 65 nm hosszúságú tranzisztorkapukra épül, és rendkívüli sebességre képes alacsony fogyasztás mellett, közölte a NEC.
Az UX6 eljárás egy újonnan kifejlesztett silícium oxi-nitrid filmrétegre épül, amely a NEC képviselőinek elmondása szerint lehetővé teszi a rendkívül alacsony fogyasztási szintek elérését, és emellett csökkenti azokat a megbízhatóságbeli problémákat is, amiket a kis méretek miatt bekövetkező áramszivárgás okoz. Az új filmréteg alkalmazásával megkétszerezhető a chipek áramszivárgás elleni védelme, közölte a társaság. A NEC képviselői azt is kifejtették, hogy az összeköttetéseknél alkalmazott új "low-k", azaz alacsony k-jú (k<2,4) dielektrikus filmek kisebb szórt kapacitást eredményeznek a chipben, ami 1 GHz fölött szintén egy rendkívül fontos tényezővé válik.
A NEC szerint az UX6 eljárás során a kritikus méreteket a 193 nm-es argon-fluorid (ArF) megvilágítási technológiával alakítják majd ki. Az új chipekhez a társaság szerint újfajta tokozási megoldásokat is ki kell majd fejleszteni, mivel a jövő chipjei akár 2000-nél is több lábbal rendelkezhetnek majd.
Az új technológia fejlesztését számos új, rendkívül vékony, filmszerű anyag, valamint több új gyártási lépés felhasználásával fog megvalósulni. Az új 100 nm-es csíkszélességű gyártási eljárás azonban olyan tranzisztorok és azokból épülő chipek kifejlesztését teszi majd lehetővé, amelyek 1 Voltos tápfeszültség mellett akár jóval 1 GHz fölötti órajeltartományokat is meghódíthatnak.
Az UX6 elnevezésű alaptechnológiában foglalt 193 nm-es litográfiai eljárást alkalmazó technológiát a NEC tajvan legnagyobb chipgyártójával, a Transmeta Crusoe és a VIA Technologies különféle chipjeit gyártó Taiwan Semiconductor Manufacturing Company-val (TSMC) együtt fejleszti. Az első ilyen módszerrel készülő System-on-Chip (rendszer a chipben) megoldások a társaság elmondása szerint 2003-ben jelenhetnek meg.
A japán chipgyártó elmondása szerint az új gyártástechnológia a következő generációs chipek alapja lehet a jövő digitális szórakoztatóelektronikai, mobilkommunikációs és hálózati eszközeiben, valamint az internetes szerverekben. Az eljárás mindössze 65 nm hosszúságú tranzisztorkapukra épül, és rendkívüli sebességre képes alacsony fogyasztás mellett, közölte a NEC.
Az UX6 eljárás egy újonnan kifejlesztett silícium oxi-nitrid filmrétegre épül, amely a NEC képviselőinek elmondása szerint lehetővé teszi a rendkívül alacsony fogyasztási szintek elérését, és emellett csökkenti azokat a megbízhatóságbeli problémákat is, amiket a kis méretek miatt bekövetkező áramszivárgás okoz. Az új filmréteg alkalmazásával megkétszerezhető a chipek áramszivárgás elleni védelme, közölte a társaság. A NEC képviselői azt is kifejtették, hogy az összeköttetéseknél alkalmazott új "low-k", azaz alacsony k-jú (k<2,4) dielektrikus filmek kisebb szórt kapacitást eredményeznek a chipben, ami 1 GHz fölött szintén egy rendkívül fontos tényezővé válik.
A NEC szerint az UX6 eljárás során a kritikus méreteket a 193 nm-es argon-fluorid (ArF) megvilágítási technológiával alakítják majd ki. Az új chipekhez a társaság szerint újfajta tokozási megoldásokat is ki kell majd fejleszteni, mivel a jövő chipjei akár 2000-nél is több lábbal rendelkezhetnek majd.