Annak érdekében, hogy lecsökkentsék a Rambus RDRAM magas gyártási költségeit, az Intel, a Rambus és a memóriakereskedők alaposan átvizsgálták az RDRAM magot.

A chipen belül lévő bankok csökkentésével a cégek kisebb, az SDRAM-hoz hasonló chipméretet remélnek, ami növelheti a jövedelmezőséget. A Rambus átgondolásának hátrányos oldala, hogy az új RDRAM valószínűleg lassabb lesz és másféle memória irányítást fog igényelni, mint amit az Intel chipsetek és más gyártók használnak a jelenlegi RDRAM-okhoz.

A 4i kezdeményezésére a memóriagyártók az RDRAM magjában 32-ről négyre fogják csökkenteni a memóriabankok számát, ezzel a 256 Mbit-es eszközök magmérete kb. feleakkora lesz. Ebben az esetben az RDRAM elérési ideje is javulni fog, habár a Rambus azzal érvel, hogy egy ilyen memóriaszerkezet megőrzi az előnyét a standardhoz vagy a dupla sűrűségű SDRAM-hoz képest. A Samsung Electronics az egyik, aki arról számolt be, hogy szándékában áll kihozni a négybankos RDRAM-ot az év végéig. A NEC viszont azt mondta, meggondolja a javaslatot és bizonytalan abban, hogy az RDRAM átalakításamegéri a fáradságot.

Az elérési problémákat megoldandó a Rambus DRAM-ok 32 alárendelt bankra lettek osztva. Alárendeltek, mivel mindegyik határos két bank ugyanazt az erősítést érzékeli. A 32 bank használata biztosította, hogy az RDRAM gyorsabb elérésű legyen az SDRAM-nál, de a memória mag nagyobb, mint az SDRAM-é, annak ellenére, hogy az erősítő áramkör megosztott. Az SDRAM-oknak egy erősítőjük van bankonként, de csak négy bankot használnak.