Gyurkity Péter
Jön a hajlékony memória
A hajlítható telefonok megjelenéséhez először a komponenseket kell átalakítanunk.
A napokban írtunk arról, hogy a hajlékony telefonok terén nincs vége a várakozásnak, itt ugyanis a Samsung csak 2019-re vetíti előre az első ilyen megoldások piacra dobását, dacára annak, hogy ezt korábban már 2015 körül várták. A főbb komponensek átalakítása sem megoldott kérdés, a memória területén azonban van esély az áttörésre.
Erről olvashatunk az Exeter Egyetem kutatói által összeállított anyagban, amely már a hajlékony memória kifejlesztéséről és annak gyártásáról szól. Itt a grafén alkalmazása merül fel a következő logikus lépésként, az egyetlen atom „vastagságú” alternatíva ugyanis több szempontból is előnyös lehet – már amennyiben le tudjuk küzdeni a gyártási és technológiai akadályokat. Egészen pontosan a grafén-oxid és a titán-oxid kombinációjáról van szó, ez a hibrid megoldás pedig mindössze 50 nanométer hosszú és alig 8 nanométer vastag lenne, a hajlékonyság tehát komoly lehetőségként tűnik itt fel.
A grafén az ennek alapjaként szolgáló szén gyakorisága miatt is megfelelőnek tűnik, ennél csak a hidrogén, a hélium, valamint az oxigén fordul elő gyakrabban az Univerzumban. Eddig ugyan komoly gondjaink voltak a felhasznált anyag minőségével, a nagyobb gyártók (közöttük pedig elsősorban a Samsung) azonban komoly összegeket fordítanak a kutatás-fejlesztési tevékenységekre, már csak azért is, mert ez még a szilíciumnál is jobban vezeti az elektronokat, a különbség pedig 30-szoros is lehet a grafén javára. A Samsung több ehhez kapcsolódó szabadalmat is benyújtott az illetékes hivatalokhoz, ami jelzi a munka irányát.
Amennyiben sikerül a hagyományos flashmemória leváltása, még egy lépéssel közelebb kerülhetünk a hajlítható megoldásokhoz, jó eséllyel tartva a 2019-es menetrendet.
A napokban írtunk arról, hogy a hajlékony telefonok terén nincs vége a várakozásnak, itt ugyanis a Samsung csak 2019-re vetíti előre az első ilyen megoldások piacra dobását, dacára annak, hogy ezt korábban már 2015 körül várták. A főbb komponensek átalakítása sem megoldott kérdés, a memória területén azonban van esély az áttörésre.
Erről olvashatunk az Exeter Egyetem kutatói által összeállított anyagban, amely már a hajlékony memória kifejlesztéséről és annak gyártásáról szól. Itt a grafén alkalmazása merül fel a következő logikus lépésként, az egyetlen atom „vastagságú” alternatíva ugyanis több szempontból is előnyös lehet – már amennyiben le tudjuk küzdeni a gyártási és technológiai akadályokat. Egészen pontosan a grafén-oxid és a titán-oxid kombinációjáról van szó, ez a hibrid megoldás pedig mindössze 50 nanométer hosszú és alig 8 nanométer vastag lenne, a hajlékonyság tehát komoly lehetőségként tűnik itt fel.
A grafén az ennek alapjaként szolgáló szén gyakorisága miatt is megfelelőnek tűnik, ennél csak a hidrogén, a hélium, valamint az oxigén fordul elő gyakrabban az Univerzumban. Eddig ugyan komoly gondjaink voltak a felhasznált anyag minőségével, a nagyobb gyártók (közöttük pedig elsősorban a Samsung) azonban komoly összegeket fordítanak a kutatás-fejlesztési tevékenységekre, már csak azért is, mert ez még a szilíciumnál is jobban vezeti az elektronokat, a különbség pedig 30-szoros is lehet a grafén javára. A Samsung több ehhez kapcsolódó szabadalmat is benyújtott az illetékes hivatalokhoz, ami jelzi a munka irányát.
Amennyiben sikerül a hagyományos flashmemória leváltása, még egy lépéssel közelebb kerülhetünk a hajlítható megoldásokhoz, jó eséllyel tartva a 2019-es menetrendet.