Gyurkity Péter
1 TB memóriával jöhetnek az új okostelefonok
A RRAM-technológia fejlődésével belátható időn belül jóval több memóriát zsúfolhatunk hordozható eszközeinkbe.
A hagyományos DRAM és az újabban NAND-flash memória új riválisain több cég és kutatóközpont is dolgozik, ezekről az utóbbi években számos alkalommal láthattunk érdekes részleteket. A hétköznapokban egyelőre a fenti két technológiával kell beérnünk, az úgynevezett „resistive random-access memory” (RRAM) széleskörű alkalmazása azonban nincs már messze, ez pedig újabb ugrást tesz majd lehetővé mind a méret, mind pedig kapacitás terén.
A texasi Houston városában lévő Rice Egyetem közleményben jelentette be, hogy kutatóik közelebb kerültek a tömegtermelés belátható időn belül történő beindításához, ami elengedhetetlenül szükséges a hétköznapokban (elérhető áron) való megjelenéshez. A nem-volatilis memóriák közé besorolt technológia érdekessége, hogy porózus szilícium-oxidot használ fel az arany és a platina közötti réteg kitöltéséhez, amelyben a megfelelő feszültség alkalmazásával apró vezető fonalak keletkeznek. A HP által fejlesztett memrisztorhoz hasonlóan ez a megoldás nemcsak a hagyományos memóriát, de a flash-alapú háttértárolókat is leválthatja.
Az előnyök között sorolják fel az alacsonyabb feszültségek alkalmazását, a hővel szembeni ellenállást, valamint a nagyobb sűrűséget és kapacitást. Az ígéretek szerint egy-egy ilyen megoldás (az 5 éve folyó munka eredményeként immár szobahőmérsékleten is megfelelő módon üzemelve) akár százszor hosszabb élettartamot kínálhat, cellánként 9 bitet tárolva, miközben a hagyományos flashmemória esetében ez mindössze 3 bit. Ami a kapacitást illeti, itt egészen apró, akár postabélyeghez fogható eszközökben is elérhető lenne az eddig többnyire a merevlemezeknél és SSD-tárolóknál elért mennyiség, vagyis akár 1 TB-ot is belesűríthetnénk a népszerű hordozható eszközökbe, legyen szó akár az egészen kicsiny okostelefonokról.
Az intézményt már több cég is megkereste a technológia licencelésével kapcsolatban, a Crossbar így akár még az év vége előtt bemutathatja saját változatát.
A hagyományos DRAM és az újabban NAND-flash memória új riválisain több cég és kutatóközpont is dolgozik, ezekről az utóbbi években számos alkalommal láthattunk érdekes részleteket. A hétköznapokban egyelőre a fenti két technológiával kell beérnünk, az úgynevezett „resistive random-access memory” (RRAM) széleskörű alkalmazása azonban nincs már messze, ez pedig újabb ugrást tesz majd lehetővé mind a méret, mind pedig kapacitás terén.
A texasi Houston városában lévő Rice Egyetem közleményben jelentette be, hogy kutatóik közelebb kerültek a tömegtermelés belátható időn belül történő beindításához, ami elengedhetetlenül szükséges a hétköznapokban (elérhető áron) való megjelenéshez. A nem-volatilis memóriák közé besorolt technológia érdekessége, hogy porózus szilícium-oxidot használ fel az arany és a platina közötti réteg kitöltéséhez, amelyben a megfelelő feszültség alkalmazásával apró vezető fonalak keletkeznek. A HP által fejlesztett memrisztorhoz hasonlóan ez a megoldás nemcsak a hagyományos memóriát, de a flash-alapú háttértárolókat is leválthatja.
Az előnyök között sorolják fel az alacsonyabb feszültségek alkalmazását, a hővel szembeni ellenállást, valamint a nagyobb sűrűséget és kapacitást. Az ígéretek szerint egy-egy ilyen megoldás (az 5 éve folyó munka eredményeként immár szobahőmérsékleten is megfelelő módon üzemelve) akár százszor hosszabb élettartamot kínálhat, cellánként 9 bitet tárolva, miközben a hagyományos flashmemória esetében ez mindössze 3 bit. Ami a kapacitást illeti, itt egészen apró, akár postabélyeghez fogható eszközökben is elérhető lenne az eddig többnyire a merevlemezeknél és SSD-tárolóknál elért mennyiség, vagyis akár 1 TB-ot is belesűríthetnénk a népszerű hordozható eszközökbe, legyen szó akár az egészen kicsiny okostelefonokról.
Az intézményt már több cég is megkereste a technológia licencelésével kapcsolatban, a Crossbar így akár még az év vége előtt bemutathatja saját változatát.