Rónai György
Samsung: DDR RAM már a mobilokba is
A Samsung Electronics bejelentette, hogy 2004 második félévében jelenik meg az új mobil DRAM típusa, a 256Mbites, 32 bit széles DDR memóriamodul. Ezeket a high-end 3D játékokat futtató mobiltelefonokba szánják, és az első mintapéldányok már készen is vannak.
Az új termék a Samsung eddigi SDR és DDR mobil moduljait bővíti ki, és a legkomolyabb ipari elvárásokat teljesíti. A Mobile DDR x 32 modul akár 266Mbit/s átviteli sebességet képes elérni lábanként, ami 1.064GB/s átviteli sebességnek felel meg. A chip a Samsung 0,10 mikronos gyártástechnológiájával készül.
A megoldás támogatja a rendkívül energiatakarékos működést lehetővé tevő integrált Temperature Compensation Self Refresh Sensors (TCSR), Partial Array Self Refresh (PASR) és Deep Power Down Mode (DPD) üzemmódokat is. A Samsung 64-512Mbit adatsűrűsséggel fogja kiadni a chipeket, melyek akár többchipes csomagban (Multi Chip Package, MCP) formátumban is elérhetőek lesznek. Ezek kisebb komplett rendszerek, amelyekbe a DRAM integrálva van. Ilyenek a NAND Flash, OneNAND Flash, SRAM, UtRAM, és az ASIC System-in-Package (SIP) megoldások is.
A Samsung a jövőben különösen nagy figyelmet fordít majd az egyre növekvő mobil szférára, ahol a 3D játékokat futtató mobiltelefonok várhatóan már 2006-ra általánossá válnak. A cég szerint az új DDR x 32 memóriáik nagyban elő fogják ezt segíteni, mivel általuk kiaknázható a gyors, mobil grafikus chipek maximális teljesítménye. Az új DRAM modulok jelentősen kisebb energiaigényűek, amely révén a telefongyártók jóval nagyobb rendelkezésre állási időt biztosíthatnak, ráadásul új funkciókat, és kompromisszumok nélküli teljesítményt nyújtanak bármilyen mobil eszközben.
Az új termék a Samsung eddigi SDR és DDR mobil moduljait bővíti ki, és a legkomolyabb ipari elvárásokat teljesíti. A Mobile DDR x 32 modul akár 266Mbit/s átviteli sebességet képes elérni lábanként, ami 1.064GB/s átviteli sebességnek felel meg. A chip a Samsung 0,10 mikronos gyártástechnológiájával készül.
A megoldás támogatja a rendkívül energiatakarékos működést lehetővé tevő integrált Temperature Compensation Self Refresh Sensors (TCSR), Partial Array Self Refresh (PASR) és Deep Power Down Mode (DPD) üzemmódokat is. A Samsung 64-512Mbit adatsűrűsséggel fogja kiadni a chipeket, melyek akár többchipes csomagban (Multi Chip Package, MCP) formátumban is elérhetőek lesznek. Ezek kisebb komplett rendszerek, amelyekbe a DRAM integrálva van. Ilyenek a NAND Flash, OneNAND Flash, SRAM, UtRAM, és az ASIC System-in-Package (SIP) megoldások is.
A Samsung a jövőben különösen nagy figyelmet fordít majd az egyre növekvő mobil szférára, ahol a 3D játékokat futtató mobiltelefonok várhatóan már 2006-ra általánossá válnak. A cég szerint az új DDR x 32 memóriáik nagyban elő fogják ezt segíteni, mivel általuk kiaknázható a gyors, mobil grafikus chipek maximális teljesítménye. Az új DRAM modulok jelentősen kisebb energiaigényűek, amely révén a telefongyártók jóval nagyobb rendelkezésre állási időt biztosíthatnak, ráadásul új funkciókat, és kompromisszumok nélküli teljesítményt nyújtanak bármilyen mobil eszközben.