Gyurkity Péter
Az Intel és a Micron gyorsít a flashmemórián
A két cég közösen dolgozik a meglévő szabványok gyorsításán és az új fejlesztések alkalmazásán. Ennek köszönhetően most ötszörösére növelték a NAND flashmemória chipek sebességét.
Az Intel hivatalos közleménye kiemeli, hogy az újonnan előállított megoldással a flashmemória olvasási sebességét másodpercenként 200 MB-ra sikerült növelni, míg az írási sebesség eléri a 100 MB-ot. Ezzel ötszörös növekedést értek el, hiszen a jelenleg széles körben használt single level cell NAND változatoknál általában 40, illetve 20 MB/s-nál húzzák meg a határvonalat. A pontos menetrendről azonban nincs hír, így a vásárlóknak sok türelem javallott.
A közleményből az is kiderül, hogy a prototípus az Open NAND Flash Interface 2.0 szabvány előnyeit használja ki, amely mindkét irányban megnöveli az adatátviteli sebességet és lehetővé teszi az eddigieknél magasabb órajelek használatát a flashchipeken belül. A magasabb órajel és az új architektúra révén pedig minden eddiginél gyorsabb példányokat készítettek el, és ezt a sebességet a két gyártó igyekszik majd minél több területen hasznosítani. Arról azonban nem hajlandók nyilatkozni, hogy ezek a megoldások nagyjából mikor jelenhetnek meg a kereskedelmi forgalomban, így nyilván még sok munka vár a mérnökökre.
A két partner három fő szegmensben szán fontos szerepet a fejlesztésnek. Számítanak arra, hogy egyre több merevlemezgyártó vág bele a hibrid példányok megtervezésébe és így az eddiginél jóval nagyobb igény mutatkozik majd a gyorsítótárként használt flashmemória iránt, amelyeket a hordozható kézikameráknál és számos más termékben is felhasználhatnak. A készülő USB 3.0 szabvány szintén jelentős felvevőpiacot jelenthet, hiszen amíg itt a hagyományos NAND flash visszafogná a rendszer teljesítményét, a 4,8 Gbit/s-os tervezett adatátviteli ráta (idővel) elérhetőnek tűnik az új fejlesztéssel. Legalább ugyanilyen fontos lehet az SSD-háttértárolók szegmense, illetve a különböző gyártók által felkarolt rendszergyorsító funkciók, mint például az Intel Turbo Memory.
Az Intel hivatalos közleménye kiemeli, hogy az újonnan előállított megoldással a flashmemória olvasási sebességét másodpercenként 200 MB-ra sikerült növelni, míg az írási sebesség eléri a 100 MB-ot. Ezzel ötszörös növekedést értek el, hiszen a jelenleg széles körben használt single level cell NAND változatoknál általában 40, illetve 20 MB/s-nál húzzák meg a határvonalat. A pontos menetrendről azonban nincs hír, így a vásárlóknak sok türelem javallott.
A közleményből az is kiderül, hogy a prototípus az Open NAND Flash Interface 2.0 szabvány előnyeit használja ki, amely mindkét irányban megnöveli az adatátviteli sebességet és lehetővé teszi az eddigieknél magasabb órajelek használatát a flashchipeken belül. A magasabb órajel és az új architektúra révén pedig minden eddiginél gyorsabb példányokat készítettek el, és ezt a sebességet a két gyártó igyekszik majd minél több területen hasznosítani. Arról azonban nem hajlandók nyilatkozni, hogy ezek a megoldások nagyjából mikor jelenhetnek meg a kereskedelmi forgalomban, így nyilván még sok munka vár a mérnökökre.
A két partner három fő szegmensben szán fontos szerepet a fejlesztésnek. Számítanak arra, hogy egyre több merevlemezgyártó vág bele a hibrid példányok megtervezésébe és így az eddiginél jóval nagyobb igény mutatkozik majd a gyorsítótárként használt flashmemória iránt, amelyeket a hordozható kézikameráknál és számos más termékben is felhasználhatnak. A készülő USB 3.0 szabvány szintén jelentős felvevőpiacot jelenthet, hiszen amíg itt a hagyományos NAND flash visszafogná a rendszer teljesítményét, a 4,8 Gbit/s-os tervezett adatátviteli ráta (idővel) elérhetőnek tűnik az új fejlesztéssel. Legalább ugyanilyen fontos lehet az SSD-háttértárolók szegmense, illetve a különböző gyártók által felkarolt rendszergyorsító funkciók, mint például az Intel Turbo Memory.