A Samsung Electronics nem titkoltan meg kívánja erősíteni flashmemória szektorbeli piacvezető pozícióját, ennek érdekében pedig duplájára növeli flash gyártókapacitását és megkezdi az első 0,09 mikronos gyártási technológiák segítségével előállított NAND termékek szállítását.

Tom Quinn, a Samsung Semiconductor San Jose-i eladási és marketing részlegének alelnöke elmondta, hogy a vállalat a napokban megkezdi első 0,09 mikronos csíkszélességű, 2 Gbit-es kapacitású NAND flashmemóriája forgalmazását. Quinn elmondta, hogy a szöuli székhelyű elektronikai mamutvállalat jelentős mértékben növelni akarja flashmemória gyártókapacitását, ami azzal indokolható, hogy a digitális fényképezőgépek, a mobiltelefonok és USB meghajtók rendkívül dinamikusan növekvő piacának óriási mennyiségű flashmemóriára van szüksége. A san franciscói WR Hambrecht LLC piackutató cég előrejelzései szerint egyébként a NAND típusú flashmemóriák piaca bitméret tekintetében mintegy 180-200 százalékos növekedésen fog keresztülmenni az idei esztendőben. A szektorban immár hosszú hónapok óta hiány tapasztalható és e tekintetben az idei év harmadik negyedévéig nem is várható pozitív változás.

"2003-ban fantasztikus évet zártunk, flashmemória eladási mutatóink ugyanis minden korábbinál kedvezőbben alakultak. Idén mindent meg fogunk tenni annak érdekében, hogy növelni tudjuk gyártókapacitásunkat" - nyilatkozta Quinn.

A DRAM és flashmemória termékek iránti óriási kereslet miatt a Samsung elsősorban a 300 milliméteres szilíciumszeletekkel operáló hwaseongi gyártóüzemét kívánja kibővíteni, ezenkívül pedig a második generációs DDR (Double Data Rate) memóriachipek esetében be fog vezetni egy vadonatúj, 0,10 mikronos, vagyis 100 nanométeres SDRAM gyártási technológiát. A Samsung szerint egyébként a NAND típusú flashmemóriáknak komoly jövőjük van, így a vállalat már javában a 0,065 mikronos csíkszélességgel rendelkező termékek kifejlesztésén munkálkodik.