JohnnyCage
Az AMD áttervezi a chipek belső alkatrészeit
A processzorgyártó Advanced Micro Devices (AMD) a napokban számos olyan technológiai sikerről számolt be, amely lehetővé teszi, hogy a társaság az elkövetkező évtizedben is a processzoripar élvonalában maradjon.
A sunnyvale-i (Kalifornia) székhelyű társaság a kiotói (Japán) VLSI Symposium (Very Large Scale Integration) konferencián számolt be azokról a technikai újításokról, amelyek minden valószínűség szerint meghatározzák a társaság jövőbeli fejlesztési irányvonalát.
Ezek a technológiák, név szerint a feszített szilícium, a többkapus tranzisztorok, valamint a fémkapus tranzisztorok olyan megoldásokat képviselnek, amelyek elengedhetetlenül szükségesek ahhoz, hogy az AMD a jövőben tartani tudja a processzorok fejlődésének eddigi ütemét.
"A chipek belső felépítésének megváltoztatásáért folyó verseny az életben maradásról szól" - mondta Craig Sander, az AMD gyártási technológiákkal foglalkozó elnökhelyettese. A chipek az utóbbi években egyre kisebbek és kisebbek lettek, a technológia azonban elérte azt a szintet, ahol már drasztikus szerkezetbeli változtatások nélkül nem lehet továbblépni.
A tranzisztorok kapui a legújabb processzorokban például már csak 5-6 atom vastagságúak. Ennél vékonyabb kapuk esetén az áramszivárgás olyan mértéket ölt, amely drasztikus fogyasztásnövekedést és melegedést eredményez. Ez pedig elfogadhatatlan az új processzorokban.
"A fogyasztás sosem volt még akkora probléma, mint napjainkban - mondta Sander. - Jelentős gyártástechnológiai innováció nélkül esélyünk sem lenne a piacon maradni - tette hozzá.
Az AMD kutatói által bemutatott megoldások a 45 nm-es csíkszélességű gyártástechnológiától kezdve lesznek megtalálhatóak a társaság processzoraiban 2007 táján, egyes újítások azonban csak a 32 nm-es eljárás bevezetésével debütálnak 2009-ben.
Az AMD a héten megrendezett VLSI konferencián két kutatási irányvonalról számolt be. Az egyik irányvonal keretében a társaság 30 százalékos teljesítménynövekedést tudott elérni nikkel-szilícium tranzisztor kapuk alkalmazásával, valamint teljesen kiürített szilícium a szigetelőn (SoI - Silicon on Insulator) eljárással készített szigetelőréteg alkalmazásával.
A nikkel-szilícium óriási előnye a jelenlegi poliszilícium kapukkal szemben, hogy a kapuvastagság további csökkentése esetén is meg tudja gátolni az áramszivárgást, lehetővé téve a komponensek további zsugorítását. "Ezek a kapuk még 3-10 atomnyi vastagság esetén sem engednek áramszivárgást" - mondta Sander. A teljesen kiürített szilícium a szigetelőn technológia a chip más komponenseiben csökkenti az áram szivárságását.
Az AMD egy kapcsolódó projektjében a kutatók 20-25 százalékkal tudták fokozni a nikkel-szilícium kapus tranzisztorok teljesítményét feszített szilícium alkalmazásával. A feszített szilícium esetében a szilíciumatomok fizikailag állnak távolabb társaiktól, így biztosítva nagyobb elektromos vezetőképességet egyes kritikus területeken. A "feszítést" germánium atomok végzik a szilíciumrétegek között.
"Ez több volt, mint amire vártunk" - mondta Sander az így elért teljesítménynövekedésről. A vezető szerint elképzelhető, hogy az alkalmazott nikkel okozott további "feszítést", javítva a teljesítményt.
Az AMD emellett két- és háromkapus tranzisztorok kifejlesztésén is dolgozik, akárcsak a chipóriás Intel. A többkapus tranzisztorok nagyobb kapufelületüknek köszönhetően kisebb áramszivárgást engednek, miközben megkönnyítik az elektronok áramlását.
A sunnyvale-i (Kalifornia) székhelyű társaság a kiotói (Japán) VLSI Symposium (Very Large Scale Integration) konferencián számolt be azokról a technikai újításokról, amelyek minden valószínűség szerint meghatározzák a társaság jövőbeli fejlesztési irányvonalát.
Ezek a technológiák, név szerint a feszített szilícium, a többkapus tranzisztorok, valamint a fémkapus tranzisztorok olyan megoldásokat képviselnek, amelyek elengedhetetlenül szükségesek ahhoz, hogy az AMD a jövőben tartani tudja a processzorok fejlődésének eddigi ütemét.
"A chipek belső felépítésének megváltoztatásáért folyó verseny az életben maradásról szól" - mondta Craig Sander, az AMD gyártási technológiákkal foglalkozó elnökhelyettese. A chipek az utóbbi években egyre kisebbek és kisebbek lettek, a technológia azonban elérte azt a szintet, ahol már drasztikus szerkezetbeli változtatások nélkül nem lehet továbblépni.
A tranzisztorok kapui a legújabb processzorokban például már csak 5-6 atom vastagságúak. Ennél vékonyabb kapuk esetén az áramszivárgás olyan mértéket ölt, amely drasztikus fogyasztásnövekedést és melegedést eredményez. Ez pedig elfogadhatatlan az új processzorokban.
"A fogyasztás sosem volt még akkora probléma, mint napjainkban - mondta Sander. - Jelentős gyártástechnológiai innováció nélkül esélyünk sem lenne a piacon maradni - tette hozzá.
Az AMD kutatói által bemutatott megoldások a 45 nm-es csíkszélességű gyártástechnológiától kezdve lesznek megtalálhatóak a társaság processzoraiban 2007 táján, egyes újítások azonban csak a 32 nm-es eljárás bevezetésével debütálnak 2009-ben.
Az AMD a héten megrendezett VLSI konferencián két kutatási irányvonalról számolt be. Az egyik irányvonal keretében a társaság 30 százalékos teljesítménynövekedést tudott elérni nikkel-szilícium tranzisztor kapuk alkalmazásával, valamint teljesen kiürített szilícium a szigetelőn (SoI - Silicon on Insulator) eljárással készített szigetelőréteg alkalmazásával.
A nikkel-szilícium óriási előnye a jelenlegi poliszilícium kapukkal szemben, hogy a kapuvastagság további csökkentése esetén is meg tudja gátolni az áramszivárgást, lehetővé téve a komponensek további zsugorítását. "Ezek a kapuk még 3-10 atomnyi vastagság esetén sem engednek áramszivárgást" - mondta Sander. A teljesen kiürített szilícium a szigetelőn technológia a chip más komponenseiben csökkenti az áram szivárságását.
Az AMD egy kapcsolódó projektjében a kutatók 20-25 százalékkal tudták fokozni a nikkel-szilícium kapus tranzisztorok teljesítményét feszített szilícium alkalmazásával. A feszített szilícium esetében a szilíciumatomok fizikailag állnak távolabb társaiktól, így biztosítva nagyobb elektromos vezetőképességet egyes kritikus területeken. A "feszítést" germánium atomok végzik a szilíciumrétegek között.
"Ez több volt, mint amire vártunk" - mondta Sander az így elért teljesítménynövekedésről. A vezető szerint elképzelhető, hogy az alkalmazott nikkel okozott további "feszítést", javítva a teljesítményt.
Az AMD emellett két- és háromkapus tranzisztorok kifejlesztésén is dolgozik, akárcsak a chipóriás Intel. A többkapus tranzisztorok nagyobb kapufelületüknek köszönhetően kisebb áramszivárgást engednek, miközben megkönnyítik az elektronok áramlását.