JohnnyCage
Megoszlik a DRAM ipar a DDR400 ügyében
A két legnagyobb DRAM gyártó, a Dél-Koreai Samsung Electronics, illetve az amerikai Micron Technology támogatja az új technológiát, a többi cég azonban inkább kihagyná a megoldást, és egyből a DDR-II-re váltana.
Az Elpida Memory, Hynix Semiconductor, és Infineon Technologies trió a napokban megrendezett Jedex konferencián bejelentette, hogy nem tervez 400 MHz órajelű DDR-I SDRAM memóriachipeket gyártani. A Samsung Electronics, és Micron Technology cégek azonban már az új chipek mintapéldányait is elkészítették, és minél hamarabb piacra szeretnék dobni a DDR400 memóriachipeket és -modulokat.
Joo Sun Choi, a Hynix Semiconductor America marketingigazgatója elmondta, hogy a jelenlegi technológiát értelmetlen felküszködni 400 MHz-re. "Amennyiben a gyártók ki is tudnak adni ilyen chipeket, a memóriamodul- és alaplapgyártók korántsem biztos, hogy támogatnák is a szabványt" - tette hozzá Katsuyuki Sato, az Elpida helyettes marketingigazgatója.
Bill Gervasi, a Transmeta Corp. elnökhelyettese, és a memória technológiákat fejlesztő JEDEC csoport egyik vezetője úgy véli, a DDR-I 400 MHz technológiára épülő memóriachipek esetleg a speciális alkalmazási területeken kaphatnak helyet. A vezető szerint a DDR333 kiszolgálja a felhasználók igényeit a következő generációs DDR-II jövő évi megjelenéséig.
A Jedex konferencián elhangzottak szerint a memóriagyártók 2003 első, illetve második negyedévében tervezik kiadni a DDR-II 533 MHz memóriachipek mintapéldányait a tömegtermelés pedig 2004 elején indulhat be. Sato szerint az Elpida azonban már az idei év közepére elkészül az első DDR-II prototípusokkal.
Az 1,8 volt tápfeszültségen működő DDR-II memóriák chipen belüli lezárással (ODT - On-Die Termination) fognak rendelkezni, amely az impedancia, illetve a zaj csökkentésével növeli a jel integritását. A zaj, és a szórt impedancia ugyanis a működési frekvencia növelésével egyre komolyabb problémát okoz. Jeff Janzen, a Micron egyik vezető mérnöke szerint a megoldás ráadásul szükségtelenné tesz számos alaplapi alkatrészt, csökkentve ezzel az alaplapok árát.
A DDR-II modulok mindemellett külső I/O vezérlővel lesznek ellátva, amely a chipek impedanciafüggő kalibrálásáért lesz felelős. A valósidejú kalibrálást a vezérlő a chipkészlet utasítására fogja elvégezni, mondta Dong Yang Lee, a Samsung Electronics DRAM divíziójának termékmenedzsere. Az új technológia része lesz az úgynevezett "posted CAS Latency" késleltetés is, amely lehetővé teszi bizonyos extra írási/olvasási műveletek végrehajtását az órajelciklus alatt. Gervasi szerint a megoldás lehetővé teszi az adatbusz maximális kihasználását, és optimalizálja az írási/olvasási műveleteket.
Bár a Jedex konferencia középpontjában a DDR-II állt, elhangzott egy-két szó a technológia utódjáról, a DDR-III -ról is. A 2005 körül megjelenő DDR-III kezdetben 1,5 volton fog működni, amely tápfeszültség később 1,2 voltra csökken.
Az Elpida Memory, Hynix Semiconductor, és Infineon Technologies trió a napokban megrendezett Jedex konferencián bejelentette, hogy nem tervez 400 MHz órajelű DDR-I SDRAM memóriachipeket gyártani. A Samsung Electronics, és Micron Technology cégek azonban már az új chipek mintapéldányait is elkészítették, és minél hamarabb piacra szeretnék dobni a DDR400 memóriachipeket és -modulokat.
Joo Sun Choi, a Hynix Semiconductor America marketingigazgatója elmondta, hogy a jelenlegi technológiát értelmetlen felküszködni 400 MHz-re. "Amennyiben a gyártók ki is tudnak adni ilyen chipeket, a memóriamodul- és alaplapgyártók korántsem biztos, hogy támogatnák is a szabványt" - tette hozzá Katsuyuki Sato, az Elpida helyettes marketingigazgatója.
Bill Gervasi, a Transmeta Corp. elnökhelyettese, és a memória technológiákat fejlesztő JEDEC csoport egyik vezetője úgy véli, a DDR-I 400 MHz technológiára épülő memóriachipek esetleg a speciális alkalmazási területeken kaphatnak helyet. A vezető szerint a DDR333 kiszolgálja a felhasználók igényeit a következő generációs DDR-II jövő évi megjelenéséig.
A Jedex konferencián elhangzottak szerint a memóriagyártók 2003 első, illetve második negyedévében tervezik kiadni a DDR-II 533 MHz memóriachipek mintapéldányait a tömegtermelés pedig 2004 elején indulhat be. Sato szerint az Elpida azonban már az idei év közepére elkészül az első DDR-II prototípusokkal.
Az 1,8 volt tápfeszültségen működő DDR-II memóriák chipen belüli lezárással (ODT - On-Die Termination) fognak rendelkezni, amely az impedancia, illetve a zaj csökkentésével növeli a jel integritását. A zaj, és a szórt impedancia ugyanis a működési frekvencia növelésével egyre komolyabb problémát okoz. Jeff Janzen, a Micron egyik vezető mérnöke szerint a megoldás ráadásul szükségtelenné tesz számos alaplapi alkatrészt, csökkentve ezzel az alaplapok árát.
A DDR-II modulok mindemellett külső I/O vezérlővel lesznek ellátva, amely a chipek impedanciafüggő kalibrálásáért lesz felelős. A valósidejú kalibrálást a vezérlő a chipkészlet utasítására fogja elvégezni, mondta Dong Yang Lee, a Samsung Electronics DRAM divíziójának termékmenedzsere. Az új technológia része lesz az úgynevezett "posted CAS Latency" késleltetés is, amely lehetővé teszi bizonyos extra írási/olvasási műveletek végrehajtását az órajelciklus alatt. Gervasi szerint a megoldás lehetővé teszi az adatbusz maximális kihasználását, és optimalizálja az írási/olvasási műveleteket.
Bár a Jedex konferencia középpontjában a DDR-II állt, elhangzott egy-két szó a technológia utódjáról, a DDR-III -ról is. A 2005 körül megjelenő DDR-III kezdetben 1,5 volton fog működni, amely tápfeszültség később 1,2 voltra csökken.