SG.hu·
RLDRAM: hálózati eszközökbe és L3 cache-nek
Az Infineon Technologies AG képviselői bejelentették, hogy a cég gyártósorain a napokban megkezdték az újgenerációs, alacsony várakozási idejű (low-latency) DRAM memóriachipek próbagyártását. A német óriásvállalat képviselői a bejelentés kapcsán elmondták, hogy a hamarosan sorozatgyártásba kerülő RLDRAM (Reduced Latency DRAM) memóriachipek a Fujitsu Ltd és a Toshiba Corporation által gyártott memóriachipekkel szállnak majd versenybe a különböző nagysebességű hálózati eszközök piacán.
Az Infineon Technologies szerint, amennyiben minden jól megy, akkor heteken belül megkezdődhet a cég első RLDRAM memóriachipjeinek a sorozatgyártása, mely chipek a kezdetekben kizárólag 256 Mbites, 200 MHz-es frekvenciájú változatban lesznek kaphatóak, később azonban napvilágot látnak a 250, illetve 300 MHz-es frekvenciájú modellek is, melyek maximális sávszélessége akár a 2,4 GB/s-ot is elérheti. Az Infineon vadonatúj RLDRAM memóriachipjeinek igazi érdekessége azonban az, hogy soros ciklusidejük mindössze 25 nanoszekundum, mely érték éppen fele a hagyományos DRAM memóriachipek hasonló értékének.
A német félvezetőgyártó szerint az RLDRAM memóriák elsősorban különböző hálózati eszközökben lesznek kedveltek, de a cég vezetői titkon abban reménykednek, hogy a közeljövőben akár a processzorok harmadszintű gyorsítótárai (L3 cache) esetében is összefuthatunk majd ilyen memóriákkal, ugyanis a jövőben napvilágot látó processzorokban egyre nagyobb L3 cache-t alkalmaznak majd, a chipgyártók pedig éppen ezért olyan, relatíve olcsó memóriát keresnek, mely a jelenleg cache-ként használatos SRAM memóriákat helyébe léphet. Az Infineon által most bejelentett újfajta memóriachipben egyébként többek között a Micron Technology is nagy fantáziát lát, ugyanis a Micron azon nyomban le is csapott az RLDRAM memória licencjogaira, és állítólagosan egy hónapon belül meg is kezdi a RLDRAM memóriák gyártását.
Az Infineon Technologies 200 MHz-es működési frekvenciájú RLDRAM memóriachipje 54 dollárba kerül, de ez az ár minden bizonnyal jelentős mértékben csökkeni fog, amint az Infineon megkezdi a 400 MHz-es működési frekvenciájú, mindössze 20 nanoszekundumos ciklusidejű modell gyártását. Ez az új RLDRAM memóriachip már 0,11 mikronos (110 nanométer) gyártási technológiával készül majd, és ha minden jól megy, akkor próbagyártását már a jövő év elején megkezdik a német cég gyártósorain.
Az Infineon Technologies szerint, amennyiben minden jól megy, akkor heteken belül megkezdődhet a cég első RLDRAM memóriachipjeinek a sorozatgyártása, mely chipek a kezdetekben kizárólag 256 Mbites, 200 MHz-es frekvenciájú változatban lesznek kaphatóak, később azonban napvilágot látnak a 250, illetve 300 MHz-es frekvenciájú modellek is, melyek maximális sávszélessége akár a 2,4 GB/s-ot is elérheti. Az Infineon vadonatúj RLDRAM memóriachipjeinek igazi érdekessége azonban az, hogy soros ciklusidejük mindössze 25 nanoszekundum, mely érték éppen fele a hagyományos DRAM memóriachipek hasonló értékének.
A német félvezetőgyártó szerint az RLDRAM memóriák elsősorban különböző hálózati eszközökben lesznek kedveltek, de a cég vezetői titkon abban reménykednek, hogy a közeljövőben akár a processzorok harmadszintű gyorsítótárai (L3 cache) esetében is összefuthatunk majd ilyen memóriákkal, ugyanis a jövőben napvilágot látó processzorokban egyre nagyobb L3 cache-t alkalmaznak majd, a chipgyártók pedig éppen ezért olyan, relatíve olcsó memóriát keresnek, mely a jelenleg cache-ként használatos SRAM memóriákat helyébe léphet. Az Infineon által most bejelentett újfajta memóriachipben egyébként többek között a Micron Technology is nagy fantáziát lát, ugyanis a Micron azon nyomban le is csapott az RLDRAM memória licencjogaira, és állítólagosan egy hónapon belül meg is kezdi a RLDRAM memóriák gyártását.
Az Infineon Technologies 200 MHz-es működési frekvenciájú RLDRAM memóriachipje 54 dollárba kerül, de ez az ár minden bizonnyal jelentős mértékben csökkeni fog, amint az Infineon megkezdi a 400 MHz-es működési frekvenciájú, mindössze 20 nanoszekundumos ciklusidejű modell gyártását. Ez az új RLDRAM memóriachip már 0,11 mikronos (110 nanométer) gyártási technológiával készül majd, és ha minden jól megy, akkor próbagyártását már a jövő év elején megkezdik a német cég gyártósorain.