A koreai Hynix Semiconductor az elmúlt hetekben mutatta be első, 130 nm-es gyártási technológiával készülő DRAM termékeit, az 512 megabites DDR266 SDRAM memóriachipeket. A cég a napokban megkezdte a chipek mintapéldányainak szállítását.

A Hynix (korábban Hyundai) a közelmúltban rendkívül nehéz helyzetbe került. A társaságot a DRAM ipar válsága súlyos adósságokba sodorta, és még az is kérdésessé vált, képes lesz-e a cég talpon maradni. A veszélybe került társaság az új technológiák minél előbbi bevezetésével próbálja visszaállítani anyagi stabilitását.

Az új gyártási eljárások segítségével csökkenteni lehet a költségeket, miközben nagyobb kapacitású, gyorsabb, drágábban eladható termékek gyártására is lehetőség nyílik. A Hynix új termékei mindezekkel együtt lenyűgöző technológiai eredményt jelentenek, és jóval többet képviselnek, mint üres marketing célú bejelentést.

A DRAM memóriagyártók döntő többsége még csak a közelmúltban állt át az új, 256 megabites chipek alkalmazására a 256 és 512 MByte-os modulokban. Az új, 512 megabites chipek várhatóan ezért csak 2003-ban kezdenek majd elterjedni a memóriamodulokon. A Hynix bejelentése egyértelműen kihangsúlyozza a cég technológiai vezető szerepét a memóriagyártásban, amelynek célja a világ biztosítása arról, hogy a társaságnak és befektetőinek igenis van jövője.

"A Hynix még a jelenlegi, nehéz időkben is képes volt egy ilyen technológiai előrelépést elsőként elérni, amelyből látszik a cég versenyképessége. Mi egy olyan erőt képviselünk, amelyet igenis számításba kell venni" - mondta Farhad Tabrizi, a Hynix nemzetközi marketingtevékenységét irányító részlegének igazgatója.