SG.hu·
A Samsung elkészítette az első DDR3 memóriát
A Samsung Electronics, amely a világ legnagyobb DRAM gyártója, a napokban jelentette be, hogy sikeresen letesztelte a világ első 512 MB-os DDR3 memóriamodulját, amely már 1066 MHz-en üzemel.
A vállalat szerint amennyiben a további tesztek során nem merül fel nagyobb probléma, a DDR3 szabványra épülő memóriák akár a következő évben a boltokba kerülhetnek. "A DDR3 sikeres tesztjei megerősítettek minket azon elhatározásunkban, hogy továbbra is a lehető leggyorsabban juttassuk el a piacra a legfejlettebb technológiákat" - jelentette ki Tom Quinn, a Samsung Semiconductor marketing részlegének alelnöke. A Samsung 512 MB-os DDR3 prototípusa 1,5 voltos feszültségen, és 1066 MHz-es sebességen üzemel, amely a piacon még alig beszerezhető DDR2 memóriákhoz képest is jelentős előrelépést jelent. A hagyományos DDR memóriák ugyanis 2,6 volton, míg a továbbfejlesztett DDR2 1,8 volton üzemel, és sebességük jócskán elmarad az itt említettől.
A vállalat bejelentése szerint a sorozatgyártásnál 80 nanométeres technológiát alkalmaznak majd, ellentétben a jelenleg kapható DDR és DDR2 SDRAM modulokkal, amelyek többnyire 90 nanométeres gyártástechnológiával készülnek. A DDR3 számos újdonággal szolgál, amelyek mind a sebességen, mind az energiafelhasználáson javítanak. Ezek közé tartozik a kisebb késleltetés, a megnövelt prefetch (amely így 8 bitnyi információt továbbít a memóriába), valamint a DDR3 egyedülálló újdonságaként említett adatszinkronizáció és kalibráció (self-driver calibration), amely technológiák szintén nagyobb sebességet tesznek lehetővé.
A Samsung közleménye hivatkozik az IDC kutatócég legfrissebb előrejelzésére, amely már a DDR3 elterjedésének várható ütemét is megemlíti. Az IDC szerint az első DDR3 memória a következő évben kerül forgalomba, és 2009-re már a DRAM piac 65 százalékát fogja uralni. Az új technológiát támogató Intel termékek várhatóan 2007-ben jelennek meg.
A vállalat szerint amennyiben a további tesztek során nem merül fel nagyobb probléma, a DDR3 szabványra épülő memóriák akár a következő évben a boltokba kerülhetnek. "A DDR3 sikeres tesztjei megerősítettek minket azon elhatározásunkban, hogy továbbra is a lehető leggyorsabban juttassuk el a piacra a legfejlettebb technológiákat" - jelentette ki Tom Quinn, a Samsung Semiconductor marketing részlegének alelnöke. A Samsung 512 MB-os DDR3 prototípusa 1,5 voltos feszültségen, és 1066 MHz-es sebességen üzemel, amely a piacon még alig beszerezhető DDR2 memóriákhoz képest is jelentős előrelépést jelent. A hagyományos DDR memóriák ugyanis 2,6 volton, míg a továbbfejlesztett DDR2 1,8 volton üzemel, és sebességük jócskán elmarad az itt említettől.
A vállalat bejelentése szerint a sorozatgyártásnál 80 nanométeres technológiát alkalmaznak majd, ellentétben a jelenleg kapható DDR és DDR2 SDRAM modulokkal, amelyek többnyire 90 nanométeres gyártástechnológiával készülnek. A DDR3 számos újdonággal szolgál, amelyek mind a sebességen, mind az energiafelhasználáson javítanak. Ezek közé tartozik a kisebb késleltetés, a megnövelt prefetch (amely így 8 bitnyi információt továbbít a memóriába), valamint a DDR3 egyedülálló újdonságaként említett adatszinkronizáció és kalibráció (self-driver calibration), amely technológiák szintén nagyobb sebességet tesznek lehetővé.
A Samsung közleménye hivatkozik az IDC kutatócég legfrissebb előrejelzésére, amely már a DDR3 elterjedésének várható ütemét is megemlíti. Az IDC szerint az első DDR3 memória a következő évben kerül forgalomba, és 2009-re már a DRAM piac 65 százalékát fogja uralni. Az új technológiát támogató Intel termékek várhatóan 2007-ben jelennek meg.