Informatika és tudomány

  • Alvarez999
    #5
    Mint a belinkelt bejegyzés is írja, a p-csatornás MOSFET-ek sebességét sikerült növelni, mert eddig ezekkel volt gond a szilíciumnál lényegesen lassúbb lyukvezetés miatt. Az n-csatornás eszközök eddig is igen gyorsak voltak. Márpedig gyors p-csatornás eszközök nélkül nem lehet gyors CMOS eszközöket sem építeni.

    Az sem lényegtelen, hogy az új eszközt szilícium szubsztráton alakítják ki, hiszen a galliumból nem lehet stabil szubsztrátot létrehozni.