Specker Balázs
A flashnél 500-szor gyorsabb memóriát ígér az IBM
Az IBM, a Macronix és a Qimonda olyan közös kutatási eredményekről számolt be, amelyek nagymértékben hozzájárulhatnak egy, a flash memóriákat leváltó új chip-modell kifejlesztéséhez.
A Nagy Kék közleménye szerint a jelenlegi flash-memóriáknál kisebb méretű és jelentősen gyorsabb típus elősegíthetné az adatokat kikapcsolás után is megjegyző eszközök és a fejlettebb elektronikai megoldások elterjedését. Az NVRAM-oknak (non-volatile, nem felejtő) nincs szükségük elektromosságra az információ megtartásához.Az íráskor fázisváltozáson áteső chip állítólag több mint 500-szor gyorsabb a flash-memóriáknál, és kevesebb, mint feleannyi energiát használ az adatok rögzítésére. A 3x20 nanométeres gyártási technológia pedig méretben jóval alulmúlja a flashét.
"Jelen eredmények ellentmondást nem tűrően bizonyítják, hogy a "phase-change" memóriák előtt fényes jövő áll" - mondta Dr. T.C. Chen, az IBM Research tudományos és technikai részlegének alelnöke.
A kutatás eredményeit a héten San Franciscóban megrendezésre kerülő IEDM (International Electron Devices Meeting) elnevezésű konferencián tárják a nyilvánosság elé. A december 13-án ismertetésre kerülő tanulmány egyike annak az öt kiemelt érdekességnek, amelyek elnyerték a "2006-os IEDM kiemeltje" díját, és ezzel együtt a részvételt az IEEE International Solid-State Circuits Conference nevet viselő rangos eseményére, melyet 2007 februárjában, szintén San Franciscóban tartanak meg.
"A Macronix már megalakulása óta az NVRAM-ok kifejlesztésének szenteli tevékenységi körét" - nyilatkozta Miin Wu, a kutatásban résztvevő Macronix elnöke az IT News Online oldalán. Az új memória alapanyaga germánium-antimon ötvözet (GeSb) lenne, melyet a hírek szerint más összetevők hozzáadásával tökéletesítenék. A szimulációs kísérletek során a kutatók finomítani és optimalizálni tudták az anyagot, és lehetőségük nyílt arra is, hogy tanulmányozzák az íráskor bekövetkezett állapotváltozás részleteit is.
A Nagy Kék közleménye szerint a jelenlegi flash-memóriáknál kisebb méretű és jelentősen gyorsabb típus elősegíthetné az adatokat kikapcsolás után is megjegyző eszközök és a fejlettebb elektronikai megoldások elterjedését. Az NVRAM-oknak (non-volatile, nem felejtő) nincs szükségük elektromosságra az információ megtartásához.Az íráskor fázisváltozáson áteső chip állítólag több mint 500-szor gyorsabb a flash-memóriáknál, és kevesebb, mint feleannyi energiát használ az adatok rögzítésére. A 3x20 nanométeres gyártási technológia pedig méretben jóval alulmúlja a flashét.
"Jelen eredmények ellentmondást nem tűrően bizonyítják, hogy a "phase-change" memóriák előtt fényes jövő áll" - mondta Dr. T.C. Chen, az IBM Research tudományos és technikai részlegének alelnöke.
A kutatás eredményeit a héten San Franciscóban megrendezésre kerülő IEDM (International Electron Devices Meeting) elnevezésű konferencián tárják a nyilvánosság elé. A december 13-án ismertetésre kerülő tanulmány egyike annak az öt kiemelt érdekességnek, amelyek elnyerték a "2006-os IEDM kiemeltje" díját, és ezzel együtt a részvételt az IEEE International Solid-State Circuits Conference nevet viselő rangos eseményére, melyet 2007 februárjában, szintén San Franciscóban tartanak meg.
"A Macronix már megalakulása óta az NVRAM-ok kifejlesztésének szenteli tevékenységi körét" - nyilatkozta Miin Wu, a kutatásban résztvevő Macronix elnöke az IT News Online oldalán. Az új memória alapanyaga germánium-antimon ötvözet (GeSb) lenne, melyet a hírek szerint más összetevők hozzáadásával tökéletesítenék. A szimulációs kísérletek során a kutatók finomítani és optimalizálni tudták az anyagot, és lehetőségük nyílt arra is, hogy tanulmányozzák az íráskor bekövetkezett állapotváltozás részleteit is.
