A tajvani félvezetőgyártó bejelentette új 65 nanométeres gyártástechnológiáját, amelynek két különböző változata alacsony fogyasztást, illetve kiemelkedő teljesítményt biztosít a processzoroknak.

A vállalat egy technológiai szimpóziumon, az ágazat vezető gyártói előtt tartott előadáson mutatta be az új technológiát, ahol azt is elárulták, hogy az első szilíciumostyák decemberben készülnek el. "A TSMC jelenleg vezető szerepet tölt be a 130 nanométeres és az alatti gyártástechnológiák terén, és kapacitása, valamint bevételei messze megelőzik a legközelebbi vetélytársak eredményeit. Az új 65 nanométeres Nexsys technológia révén bebiztosíthatjuk a vezető pozíciót, és új lökést adhatunk a a technológiai fejlődésnek" - jelentette ki Kenneth Kin, a TSMC értékesítési részlegének alelnöke.

A szimpóziumon ismertették a technológia legfőbb előnyeit, amelyek a rendezvény után kiadott hivatalos közleményben is megjelentek. Ezen fejlesztések többek között lehetővé teszik a tranzisztorok hatékonyságának növekedését, valamint hogy a jelenleg használatos 90 nanométeres gyártástechnológiához képest dupla sűrűséggel helyezzék el a logikai eszközöket. Ily módon jelentős költségcsökkenést, és a vállalat állítása szerint akár 50 százalékos teljesítménynövekedést is elérhetnek a 90 nanométeres, általános célú (General Purpose) eljáráshoz képest.

A rendezvényen elhangzott nyilatkozatokban a Nexsys gyártástechnológia három különböző változatát is megemlítették, és ismertették ezek várható megjelenési időpontját. Ezek szerint a vállalat - a vásárlói igényeknek megfelelően - először az alacsony fogyasztást szem előtt tartó változatot alkalmazza majd, amely még az idei év utolsó hónapjában bemutatkozhat. A teljesítményre kiélezett változatot, illetve az általános célú gyártástechnológiát ezzel szemben valamikor a következő évben vezetik be, míg az ultra nagy sebességű verzió csak 2007-ben lesz elérhető.