SG.hu·
Új módszer a feszített szilícium előállítására
Az AMD és az IBM olyan új eljárást dolgozott ki, amely a két vállalat szerint az eddiginél olcsóbb, gyorsabb, és egyszerűbben alkalmazható, így nem növeli drasztikusan a processzorok előállítási költségét.
Az eljárás a "Dual Stress Liners", azaz DSL nevet kapta, és legfőbb előnye, hogy jóval egyszerűbb a korábbi megoldásoknál. Az AMD szóvivője elárulta, hogy a DSL eljárással készülő processzorok már jelenleg is kaphatók, de az új technológia valódi jelentősége csak a következő negyedévben, az új 90 nanométeres processzorok megjelenésével mutatkozik majd meg. A két cég adatai szerint a DSL révén a tranzisztorok teljesítménye 24 százalékkal javul, és - ami a költségeket tekintve rendkívül fontos - a technológia alkalmazása miatt nem csökken az egy ostyából előállítható processzorok száma.
A feszített szilícium technológiák elsődleges célja a tranzisztorok teljesítményének növelése, amely kettős előnnyel jár: egyrészt növekszik a processzorok teljesítménye, és ezzel egy időben csökken a fogyasztás. Ennek érdekében át kell rendezni a szilícium atomok elhelyezkedését, úgy, hogy az elektronok könnyebben és gyorsabban mozoghassanak a tranzisztorokban. Korábban ezt germánium alkalmazásával érték el, a nagyobb germánium atomok ugyanis "széthúzzák" a szilícium atomokat.
"Ez egy kicsit olyan, mint bólyák között vezetni: ha a bólyákat széthúzzuk, gyorsabban vezethetünk. Technikai szempontból az a fontos, hogy a feszített közegben az elektronok tömege lecsökken, így valóban olyan, mintha kisebb autót vezetnénk" - fejtette ki Nick Kepler, az AMD fejlesztői csoportjának vezetője.
Elemzők szerint a feszített szilícium technológiák alkalmazása kiélezheti az AMD és az Intel között zajló versenyt, és fontos szerepet játszhat a verseny alakulásában. Az Intel 90 nanométeres processzorai hasonló eljárással készülnek, de a vállalat ígérete szerint a 65 nanométeres chipek már a technológia továbbfejlesztett változatát tartalmazzák majd, amely további 30 százalékkal javítja a mutatókat. Az IBM és az AMD kettőse, valamint az Intel a héten megrendezésre kerülő International Electric Devices Meeting nevű konferencián számolnak be az eddig elért eredményekről.
Az eljárás a "Dual Stress Liners", azaz DSL nevet kapta, és legfőbb előnye, hogy jóval egyszerűbb a korábbi megoldásoknál. Az AMD szóvivője elárulta, hogy a DSL eljárással készülő processzorok már jelenleg is kaphatók, de az új technológia valódi jelentősége csak a következő negyedévben, az új 90 nanométeres processzorok megjelenésével mutatkozik majd meg. A két cég adatai szerint a DSL révén a tranzisztorok teljesítménye 24 százalékkal javul, és - ami a költségeket tekintve rendkívül fontos - a technológia alkalmazása miatt nem csökken az egy ostyából előállítható processzorok száma.
A feszített szilícium technológiák elsődleges célja a tranzisztorok teljesítményének növelése, amely kettős előnnyel jár: egyrészt növekszik a processzorok teljesítménye, és ezzel egy időben csökken a fogyasztás. Ennek érdekében át kell rendezni a szilícium atomok elhelyezkedését, úgy, hogy az elektronok könnyebben és gyorsabban mozoghassanak a tranzisztorokban. Korábban ezt germánium alkalmazásával érték el, a nagyobb germánium atomok ugyanis "széthúzzák" a szilícium atomokat.
"Ez egy kicsit olyan, mint bólyák között vezetni: ha a bólyákat széthúzzuk, gyorsabban vezethetünk. Technikai szempontból az a fontos, hogy a feszített közegben az elektronok tömege lecsökken, így valóban olyan, mintha kisebb autót vezetnénk" - fejtette ki Nick Kepler, az AMD fejlesztői csoportjának vezetője.
Elemzők szerint a feszített szilícium technológiák alkalmazása kiélezheti az AMD és az Intel között zajló versenyt, és fontos szerepet játszhat a verseny alakulásában. Az Intel 90 nanométeres processzorai hasonló eljárással készülnek, de a vállalat ígérete szerint a 65 nanométeres chipek már a technológia továbbfejlesztett változatát tartalmazzák majd, amely további 30 százalékkal javítja a mutatókat. Az IBM és az AMD kettőse, valamint az Intel a héten megrendezésre kerülő International Electric Devices Meeting nevű konferencián számolnak be az eddig elért eredményekről.