Az IBM bejelentette azt a technológiai eljárást, amely a társaság szerint a jelenlegi változatoknál 80 százalékkal kisebb fogyasztású mobiltelefon-chipek gyártását teszi lehetővé.

Az IBM az alacsony fogyasztású mobiltelefon-chipekhez olyan gyártási eljárásokat, megoldásokat kapcsolt össze, amelyeket a kutatók ezidáig nem tudtak egymással kombinálni. A társaság új megoldása lehetővé teszi a szilícium-germánium bipoláris tranzisztorok alkalmazását a Silicon-on-Insulator (SoI - szilícium a szigetelőn) technológiával készülő chipekben. A SoI technológiát a kutatók korábban csak a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) eljárással készülő chipekben alkalmazták, mint amilyenek például a számítógép processzorok.

Az új eljárás segítségével a tervezők számos olyan áramköri elemet építhetnek a mobiltelefon chipekben, amelyre korábban nem volt lehetőség, ezért nagyobb fogyasztást eredményező helyettesítő megoldások alkalmazására volt szükség, mondta Tak Ning, az IBM Watson Research Lab kutatóközpontjának egyik szakértője. "Olyan megoldásokat fejlesztünk ki, amelyekkel a kutatók újszerű áramköröket alkothatnak" - mondta Ning.

Az IBM szerint az új megoldásra épülő chipek piaci megjelenésére azonban még körülbelül öt évet kell várni. A technológia a jövőben a fejlett képességekkel rendelkező mobiltelefonok mellett olyan meoldásokba is bekerülhetnek, mint az intelligens autóirányítási rendszerek, és az autós ütközéskivédő megoldások.

A hatékony energiagazdálkodás kérdése a kisméretű mobil eszközök térhódítása miatt az utóbbi időben egyre fontosabb kérdéssé vált a processzorgyártók számára, amelyek korábban leginkább csak az egyre magasabb órajeltartományok meghódítására koncentráltak.