Ebben a mérnökök a következő generációs in-memory computing technológiához használt memória-megoldásokhoz kapcsolódóan végezhetnek kutatási és fejlesztési feladatokat.

Az ünnepséget a Samsung dél-koreai Hwaseong kampuszán tartották Dr. Young-Hyun Jun, a Samsung memóriafejlesztésért felelős ágazatának igazgatója, illetve Adaire Fox-Martin, az SAP Asia Pacific Japan elnöke, valamint mindkét cég további vezetőinek részvételével. A kutatóközpont a két vezető nagyvállalat közötti kiterjedt partnerkapcsolat jegyében jött létre. Az együttműködés keretein belül a két cég olyan memóriában tárolt technológiai fejlesztésekre összpontosít, amelyek gyorsabb adatfeldolgozást és az egyre gyorsabban növekvő adatmennyiségek informatív elemzését teszik lehetővé.

A cél a memóriában tárolt megoldások globális piacának fejlettebb szintre emelése. Ennek érdekében csúcstechnológiás kutatásokat végeznek az ügyfelek számára kialakított megoldásokban alkalmazható következő generációs DRAM kifejlesztéséért, és közösen dolgoznak a kereskedelmi forgalomba hozatalon is. A kutatóközpontban a Samsung és az SAP a kiterjedt technikai támogatáson keresztül globális ügyfelek számára optimalizált memóriában tárolt megoldásokat kínál majd, amelyek kiterjednek többek között az SAP HANA platformra, valamint a Samsung legújabb nagy teljesítményű, nagy sűrűségű memória-megoldásaira is.

A központ kiszolgálói rendszere egy 24 terabájtos memóriában tárolt platformot használ, amely a Samsung 20 nanométeres feldolgozási csomópontra gyártott 128 gigabájtos DDR4 3DS (háromdimenziós vertikális) DRAM moduljain alapul. A vállalatok azt tervezik, hogy jövőre 10 nm-es osztályú 256 GB-os 3DS DRAM modulok alkalmazásával javítják az általános rendszerteljesítményt és energiafelhasználási hatékonyságot, ez pedig olyan memóriában tárolt rendszer kialakításához vezethet, amely még nagyobb befektetési megtérülést jelent a Samsung és az SAP ügyfelei számára.