SG.hu·
Láthatáron a gyémánt alapú félvezetők
A japán kormányzat néhány nagyvállalattal karöltve 2003-ban olyan kutatási és fejlesztési munkálatokba kezd, melyek célja a gyémánt alapú félvezetők előállítása. Szakértők szerint ezen újgenerációs félvezetők minden korábbinál nagyobb sebességre lehetnek képesek, és egy nap talán arra is képesek lesznek, hogy a jelenleg széles körben használatos szilícium alapú félvezetők helyébe lépjenek. A fejlesztési munkálatokat a távol-keleti ország gazdasági, kereskedelmi és ipari minisztériuma alá tartozó NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) nevezetű szervezet fogja összehangolni, mely a jövő esztendő áprilisában mintegy hatmillió dolláros kezdőösszeggel indítja be a várhatóan több évig tartó kutatásokat.
Hideyo Okushi, az AIST (Advanced Industrial Science and Technology) egyik vezető kutatója az üggyel kapcsolatban elmondta, hogy a gyémánt alapú félvezetők működésük közben akár 1000 Celsius fokos hőmérsékletet is képesek lesznek elviselni, szemben a jelenlegi szilícium alapú félvezetőkkel, melyek 150 Celsius fokos hőmérséklet felett már működésképtelenek. Okushi minden bizonnyal tudja, mit beszél, többek közt már csak azért is, mert az elmúlt években több olyan kutatásban is részt vett, mely a gyémánt alapú félvezetők kifejlesztésével foglalkozott. Okushi hangsúlyozta, hogy az újgenerációs félvezetők egyrészt minden korábbinál magasabb frekvencián, óriási sebességgel működhetnek, másrészt pedig magas hőmérsékletű helyeken is felhasználhatók lesznek, így például akár a gépjárművekben található motorokba is be lehet majd integrálni őket.
Okushi elmondta, hogy bár a gyémánt alapú félvezetőkkel kapcsolatos fejlesztések már eddig is jól haladtak, és várhatóan a jövőben is jól fognak haladni, még legalább húsz esztendőnek kell eltelnie ahhoz, hogy a gyémánt alapú félvezetők a jelenlegi szilícium alapú társaik helyébe léphessenek. Az újgenerációs félvezetők kapcsán az egyik legnagyobb nehézséget a roppant magas költségek jelentik, hiszen egy néhány négyzetmilliméteres gyémánt alapú félvezető jelenleg több száz dollárba kerül, míg egy hasonló méretű szilícium alapú félvezető lényegében pár centből előállítható.
Hideyo Okushi, az AIST (Advanced Industrial Science and Technology) egyik vezető kutatója az üggyel kapcsolatban elmondta, hogy a gyémánt alapú félvezetők működésük közben akár 1000 Celsius fokos hőmérsékletet is képesek lesznek elviselni, szemben a jelenlegi szilícium alapú félvezetőkkel, melyek 150 Celsius fokos hőmérséklet felett már működésképtelenek. Okushi minden bizonnyal tudja, mit beszél, többek közt már csak azért is, mert az elmúlt években több olyan kutatásban is részt vett, mely a gyémánt alapú félvezetők kifejlesztésével foglalkozott. Okushi hangsúlyozta, hogy az újgenerációs félvezetők egyrészt minden korábbinál magasabb frekvencián, óriási sebességgel működhetnek, másrészt pedig magas hőmérsékletű helyeken is felhasználhatók lesznek, így például akár a gépjárművekben található motorokba is be lehet majd integrálni őket.
Okushi elmondta, hogy bár a gyémánt alapú félvezetőkkel kapcsolatos fejlesztések már eddig is jól haladtak, és várhatóan a jövőben is jól fognak haladni, még legalább húsz esztendőnek kell eltelnie ahhoz, hogy a gyémánt alapú félvezetők a jelenlegi szilícium alapú társaik helyébe léphessenek. Az újgenerációs félvezetők kapcsán az egyik legnagyobb nehézséget a roppant magas költségek jelentik, hiszen egy néhány négyzetmilliméteres gyémánt alapú félvezető jelenleg több száz dollárba kerül, míg egy hasonló méretű szilícium alapú félvezető lényegében pár centből előállítható.