Több mint 20 japán és amerikai cég közösen akar olyan technikákat kifejleszteni, amelyek lehetővé a DRAM utódjának számító mágneses véletlenszerű elérésű memóriachip (MRAM) megalkotását.

A Nikkei Asian Review cikke szerint az MRAM-ból az elsősorban a táblagépeknél és más hordozható készülékeknél profitálhatunk majd. A konzorcium tagja a Tokyo Electron, a Shin-Etsu Chemical, a Renesas Electronics, a Hitachi és a Micron Technology; utóbbi jelenleg a világ második legnagyobb DRAM-gyártójának számít. A projektben szerepet vállaló társaságok több tucat kutatót küldenek a közeljövőben a Japán északi részén található Tohoku Egyetemre, és februártól Tetsuo Endoh processzor vezetésével kezdik el munkájukat. Az MRAM sorozatgyártását lehetővé tévő technológiát 2017 márciusáig fejlesztenék ki. A Micron azt reméli, hogy az első MRAM-ok 2018-ig megjelenhetnek a piacon.

Az MRAM egyik legfontosabb jellemzője, hogy a digitális információ (0 és 1 formájában) a mágneses jelenség illesztésével tárolódik. A tároló állapotnál az elemi részből való olvasás az alkotóelem pillanatnyi állapotát észleli. Az új memóriachipek működéséhez sokkal magasabb feszültség kell, mint a DRAM esetében és így magasabb órajel is érhető el. A japán lap szerint az MRAM a DRAM-nál tízszer nagyobb kapacitású és írási sebességű lehet, viszont a fogyasztása csak egyharmada a DRAM-nak, így az új memória jelentős mértékben javíthat a táblagépek és az okostelefonok teljesítményén és meghosszabbíthatja az üzemidejüket. Készenléti állapotban ez akár több száz extra órát is jelenthet.

Az új technológiát már 2000 júliusában leleplezte a Union Semiconductor Technology. A cég azt állította, hogy az MRAM képes helyettesíteni több különböző chipet, beleértve a flashmemóriát és a DRAM-ot.