Informatika és tudomány

  • Csaba161
    #7
    A MOS-FET-ekről azért nem írtam, mert azokat teljesen lehetetlen ilyen kis méretben elkészíteni. Itt még a 3D sem segít. Gondolj bele, egy 10x10 atomos félvezetőre max 2 réteg SiO2 szigetelőréteget lehetne felvinni, hogy ott kialakulhasson mérhető kapacitás, ha ugyanis mondjuk felfelé néhány tucat atomrétegnyi szigetelés van, ott ilyen kis felület esetében nem lesz semmilyen kapacitás. Ha viszont maradunk a 2-3 atom vastag szigetelőrétegnél, akkor közbeszól a kvantummechanikai alagúteffektus, és simán áram folyik át, nem lesz itt semmi térvezérlés.