• halgatyó
    #15
    Egypár apró tévedés akad a cikkben, de a lényeg nagyon tetszik.

    Egy félvezető műkődési hőmérséklet határainak nem sok köze van az olvadásponthoz. (sokkal inkább a tiltott sáv szélességéhez) A szilicium például 1400 Cfok fölött olvad, de a belőle készült félvezetők kb. 200 fok határréteg hőmérsékletet bírnak ki gazdaságosan elfogdaható ideig.

    Magas hőmérsékleten megnő a kristályrácsban a diffúzió, ami a kristály átrendeződéséhez, a p-n átmenetek tönkremeneteléhez vezet, a hőmérséklettől is függő idő alatt. Továbbá, a kisebbségi töltéshozrdozók okozta visszáram is jelentősen (exponenciálisan az abszolút hőmérséklettel) megnő, továbbá a félvezető egyéb tulajdonságai is megváltoznak. Az áramkörök TÖBBI ELEME (ellenűállások, kondenzátorok) szintén megváltoznak a magasabb hőmérsékleten, emiatt a beállított munkapontok elmásznak, ami egy bonyolultabb áramkör működését megakasztja.

    Korábban a GaAs félvezetőről olvastam valahol, hogy kb. 500 C fokig használható, de valahogy mintha nem terjedtek volna el a belőle készült áramkörök.

    Az áramkör összes alkatrészének a beállítása a 600 fok körüli hőmérsékleten működésre valószínűleg azt fogja jelenteni, hogy a készülék szobahőmérsékleten nem fog működni. Ezzel számolni kell.

    Mindenesetre érdekes lesz. Én is kíváncsi vagyok, hogy mikor indul el az első Vénusz szonda, amelyik huzamos ideig képes adatokat küldeni a pokolból.