Alvarez999#25
"A fő gond az, amit a #14-esben írtam, de valahogy nem fogják az emberek. :)"
Ne általánosíts. :)
Azt nem árt még tudni, hogy miért csak a szektormérettel lehet játszani, és miért nem lehet a blokkméretet csökkenteni. Első ránézésre ui. úgy tűnhet, hogy egy kisebb blokkmérettel megoldódnának a gondok, pedig dehogy. Itt két tényező is szerepet játszik.
Az első az, hogy több kisebb blokk törlése hosszabb ideig tart, mint egy ugyanannyi adatot tartalmazó nagyobb blokké. Ez a fő ok.
A másik az, hogy a chipben lévő töltésszivattyú (charge pump) által leadott feszültség (amivel a törlés történik) nem változtatható szabadon, mert az írási/törlési folyamat nem indul el egy adott feszültség alatt. Ha csak kisszámú byte-ot törlünk, akkor a töltésszivattyú feszültsége alig esik, emiatt az egyes cellákba több töltést kényszerítünk bele, ami hamarabb telíti elektronokkal a lebegő gate szigetelő rétegét, ezáltal kevesebb törlés/írási ciklust visel el az adott cella. Ha egyszerre több byte-ot törlünk, akkor nagyobb mértékben csökken a töltésszivattyú feszültsége (persze még mindig elég nagynak kell lennie ahhoz, hogy az elektronok átalagutazzanak a potenciálgáton), így kevesebb elektron reked a szigetelő rétegben. Vannak olyan flash chipek, amelyeknél választható byte vagy page alapú törlés. Ezeknél komoly mértékben függ az élettartam (endurance) attól, hogy byte vagy page erase módszerrel törlünk, az arány másfél-kétszeres is lehet.
Azt a tévhitet is el lehet felejteni, hogy az SSD-knél nem kell odafigyelni a hűtésre. Ha egy SSD 25 C fokon x számú ciklust bír el, akkor 60 C fokon ennek kb. csak a felét, nulla C fokon viszont a másfélszeresét.