Az Intel és a Micron közös bejelentése szerint NAND flash memóriát gyártó vegyes vállalatuk a tervezettnél jelentősebb fejlődést ért el IM Flash technológiák fejlesztése terén.

Az IM Flash januári megalkotása óta a cégek közösen alapítottak 300 milliméteres NAND gyárakat Manassasban (Virginia állam), és újabb 300 mm-es gyártás lehetőségét tervezik jövő év elejére Lehi-ben (Utah állam). A vegyes vállalat jelenleg szintén gyárt NAND memóriát a Micron meglévő, Boise-i (Idaho álam) gyárában.

A két cég júliusban bemutatta az iparág első, 50 nanométeres gyártási technológiájával készült NAND flash memóriájának tesztpéldányait. Jelenleg mindkét cég 50 nanométeres technológiával készülő 4 gigabites tesztpéldányokkal rendelkezik, de jövő év elejétől több különböző termék gyártását tervezik, amelyek várhatóan már a többszintű cellás (multi-level cell) NAND technológiával érkeznek.

Ma az Intel és a Micron bejelentette közös szándékét egy új, szingapúri vegyes vállalat megalapítására, amely a negyedik gyártelep lesz, ahol NAND flash memóriák készülhetnek a jövőben. Az előreláthatólag 2008 második felében megalapítandó szingapúri vegyes vállalat elsősorban 50 nanométeres gyártási technológiával készült 300 mm-es ostyák gyártására specializálódik.