SG.hu·
Infineon-Nanya együttműködési szerződés
Az Infineon Technologies és a Nanya Technology Corporation (NTC) vezetői a napokban stratégiai együttműködési szerződést írtak alá egymással, mely szerződés a különböző memóriachipek közös fejlesztésére és gyártására vonatkozik. A két mamutcég képviselői a bejelentés kapcsán elmondták, hogy az érintett felek az együttműködési szerződésnek köszönhetően jelentős mértékben növelhetik majd piaci részesedésüket, valamint utaltak arra, hogy az egyre komolyabb konkurenciaharcot biztosító DRAM memóriapiacon nem kis jelentőséggel bír, ha két cég meg tudja osztani egymással a jelentős fejlesztési költségeket.
A szerződés többek közt kitér arra, hogy az Infineon Technologies és a Nanya Technology Corporation a közeljövőben közösen fog kifejleszteni olyan technmológiákat, melyek révén 0,09 mikronos, illetve 0,07 mikronos csíkszélességű DRAM memóriachipek lesznek gyárthatók 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletekből. A szerződés értelmében a szerződő felek létrehoznak egy 50:50 százalékos tulajdonrészekből összeálló leányvállalatot, mely mindkét cég számára memóriákat fog gyártani, és amely vállalat a közeljövőben Tajvanon fel fog építeni egy 300 milliméteres szilíciumszeletekkel operáló chipgyártó üzemet. Ebben az újonnan felépítendő üzemben a tervek szerint már olyan gyártási technológiákat fognak alkalmazni, melyeket az Infineon és a Nanya kutatói és mérnökei közösen fejlesztettek ki. Amennyiben minden jól megy, akkor az új üzem valamikor 2003 végén kezdheti meg működését, a gyártókapacitás felfutását követően pedig havonta mintegy ötvenezer szilíciumszeletet fognak itt feldolgozni.
Az Infineon és a Nanya közös tajvani gyártóüzeme a technológiai fejlesztések előrehaladottsága, valamint a DRAM világpiac aktuális eseményeinek függvényében két nagyobb lépcsőben fog elkészülni. Az első lépcső várhatóan 2004 közepéig fog tartani, amikorra az üzem mintegy húszezer szilíciumszelet/hónapos gyártókapacitással fog rendelkezni. A második ütem 2006 közepén ér véget, amikor a világ legnagyobb DRAM gyártóüzemei közé előlépett létesítmény gyártókapacitása eléri a havi ötvenezer szilíciumszeletet. Az Infineon és a Nanya az elkövetkezendő években összesen mintegy 2,2 milliárd eurót fordít az új üzem felépítésére.
A szerződés többek közt kitér arra, hogy az Infineon Technologies és a Nanya Technology Corporation a közeljövőben közösen fog kifejleszteni olyan technmológiákat, melyek révén 0,09 mikronos, illetve 0,07 mikronos csíkszélességű DRAM memóriachipek lesznek gyárthatók 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletekből. A szerződés értelmében a szerződő felek létrehoznak egy 50:50 százalékos tulajdonrészekből összeálló leányvállalatot, mely mindkét cég számára memóriákat fog gyártani, és amely vállalat a közeljövőben Tajvanon fel fog építeni egy 300 milliméteres szilíciumszeletekkel operáló chipgyártó üzemet. Ebben az újonnan felépítendő üzemben a tervek szerint már olyan gyártási technológiákat fognak alkalmazni, melyeket az Infineon és a Nanya kutatói és mérnökei közösen fejlesztettek ki. Amennyiben minden jól megy, akkor az új üzem valamikor 2003 végén kezdheti meg működését, a gyártókapacitás felfutását követően pedig havonta mintegy ötvenezer szilíciumszeletet fognak itt feldolgozni.
Az Infineon és a Nanya közös tajvani gyártóüzeme a technológiai fejlesztések előrehaladottsága, valamint a DRAM világpiac aktuális eseményeinek függvényében két nagyobb lépcsőben fog elkészülni. Az első lépcső várhatóan 2004 közepéig fog tartani, amikorra az üzem mintegy húszezer szilíciumszelet/hónapos gyártókapacitással fog rendelkezni. A második ütem 2006 közepén ér véget, amikor a világ legnagyobb DRAM gyártóüzemei közé előlépett létesítmény gyártókapacitása eléri a havi ötvenezer szilíciumszeletet. Az Infineon és a Nanya az elkövetkezendő években összesen mintegy 2,2 milliárd eurót fordít az új üzem felépítésére.