A tajvani chipsetgyártó Silicon Integrated Systems (SiS) a napokban bejelentette, hogy a harmadik negyedévben megkezdi az átállást a 130 nm-es csíkszélességre 8 hüvelykes szilíciumostyákkal dolgozó chipgyárában.

Mivel azonban a társaság minimálisra kívánja csökkenteni az átállásból eredő kapacitáscsökkenést, illetve chiphozamot, a réz huzalozásra való áttérés egyelőre még elmarad, mondta Samuel Liu, a SiS elnöke. Liu szerint bizonyos időre lesz szükség, mire a társaság megfelelő hozamot tud majd elérni a 130 nm-es technológiával, ezért a réz huzalozásra való áttérésre csak a jövő évben kerül sor.

Jelenleg egyedül a társaság legrégebbi, SiS645-ös chipkészlete készül 180 nm-es eljárással. A társaság újabb diszkrét, és összes integrált grafikus chipkészlete 150 nm-es gyártástechnológiára épül. Mindent összevetve a SiS chipkészletek több, mint 50 százaléka 150 nm-es csíkszélességgel készül.

A megoldások összetettsége miatt a gyártók általában a grafikus chipeken tesztelik az új gyártási eljárásokat. A SiS jelenlegi ütemtervéből következtetve az első megoldás, amely az új, 130 nm-es eljárásra fog épülni, a Xabre II grafikus processzor lesz, a harmadik negyedévben debütáló Xabre 600 pedig még a jelenlegi, 150 nm-es technológiával fog készülni.

Bár a piaci kilátások némileg visszaestek az év első feléhez képest, a SiS bízik abban, hogy sikerül tartani a társaság 165 ezer szilíciumostya idei feldolgozásáról szóló tervét. A gyártó a közelmúltban egyébként egy új, kínai iroda létesítésébe fogott, amelynek célja a kínai partnerek jobb támogatása. Az iroda kizárólag technikai támogatási és marketing tevékenységet fog ellátni, a SiS jelenleg ugyanis nem tervezi Kínába telepíteni chipjeinek gyártását.