Franczy
Infineon-Winbond szövetség
Németország egyik legnagyobb félvezetőgyártó cége, az Infineon Technologies AG a napokban immár a negyedik olyan nagyszabású együttműködési szerződését írta alá, melyben az aláíró fél nem meglepő módon tajvani székhellyel rendelkezik. Esetünkben egész pontosan arról van szó, hogy az Infineon a tajvani Windbond Electronics Corporationnel kötött egy olyan több éves együttműködési szerződést, mely többek közt kimondja, hogy a két óriáscég a közeljövőben közös technológiai fejlesztéseket fog folytatni, valamint, hogy az Infineon bizonyos termékeit a Winbond fogja gyártani.
Az Infineon és a Winbond között létrejött együttműködési szerződés értelmében a hsinchui székhelyű Winbond fogja gyártani az Infineon közeljövőben debütáló, 0,11 mikronos gyártási technológiákkal készülő vadonatúj DRAM memóriachipjeit. Különböző források szerint a német cég még ebben a hónapban megkezdi az általa kifejlesztett 0,11 mikronos gyártási technológiák meghonosítását a Winbond hsinchui gyártóüzemeiben, ami azt jelenti, hogy a Winbond akár már 2003 januárjában megkezdheti ezen technológiák alkalmazását, majd ezt követően pár héttel később már a 0,11 mikronos csíkszélességű DRAM chipek sorozatgyártása is megkezdődhet. A szerződés kitér arra, hogy a Winbond az Infineon rendelkezésére fogja bocsátani saját, 200 milliméter átmérőjű szilíciumszeleteket alkalmazó gyártósorainak egy részét is, valamint, hogy a Winbond a jövőben is gyártani és forgalmazni fog Winbond márkajelzéssel rendelkező DRAM memóriachipeket.
Ahogy azt már említettem, a mostani immár a negyedik olyan szerződés, mely mostanság az Infineon és egy nagy tajvani félvezetőgyártó cég között jött létre, vagyis minden jel arra mutat, hogy a német cég komoly terjeszkedésnek indult. Az Infineon nemrégiben a Winbondhoz hasonlóan az ugyancsak hsinchui székhellyel rendelkező Mosel Vitelic nevezetű céggel kötött a DRAM memóriachipek gyártásával kapcsolatos együttműködési szerződést, majd ezt követően az Infineon képviselői már arról számoltak be, hogy az Infineon több hónapnyi tárgyalást követően a Nanya Technology Corporationnel is aláírt egy stratégiai partneri szerződést. Ezen utóbbi szerződés értelmében egyébként az Infineon és a Nanya Technology létre fog hozni egy új vegyesvállalatot, mely 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletekből fog gyártani 90, illetve 70 nanométeres csíkszélességű DRAM memóriachipeket.
Az Infineon és a Winbond között létrejött együttműködési szerződés értelmében a hsinchui székhelyű Winbond fogja gyártani az Infineon közeljövőben debütáló, 0,11 mikronos gyártási technológiákkal készülő vadonatúj DRAM memóriachipjeit. Különböző források szerint a német cég még ebben a hónapban megkezdi az általa kifejlesztett 0,11 mikronos gyártási technológiák meghonosítását a Winbond hsinchui gyártóüzemeiben, ami azt jelenti, hogy a Winbond akár már 2003 januárjában megkezdheti ezen technológiák alkalmazását, majd ezt követően pár héttel később már a 0,11 mikronos csíkszélességű DRAM chipek sorozatgyártása is megkezdődhet. A szerződés kitér arra, hogy a Winbond az Infineon rendelkezésére fogja bocsátani saját, 200 milliméter átmérőjű szilíciumszeleteket alkalmazó gyártósorainak egy részét is, valamint, hogy a Winbond a jövőben is gyártani és forgalmazni fog Winbond márkajelzéssel rendelkező DRAM memóriachipeket.
Ahogy azt már említettem, a mostani immár a negyedik olyan szerződés, mely mostanság az Infineon és egy nagy tajvani félvezetőgyártó cég között jött létre, vagyis minden jel arra mutat, hogy a német cég komoly terjeszkedésnek indult. Az Infineon nemrégiben a Winbondhoz hasonlóan az ugyancsak hsinchui székhellyel rendelkező Mosel Vitelic nevezetű céggel kötött a DRAM memóriachipek gyártásával kapcsolatos együttműködési szerződést, majd ezt követően az Infineon képviselői már arról számoltak be, hogy az Infineon több hónapnyi tárgyalást követően a Nanya Technology Corporationnel is aláírt egy stratégiai partneri szerződést. Ezen utóbbi szerződés értelmében egyébként az Infineon és a Nanya Technology létre fog hozni egy új vegyesvállalatot, mely 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeletekből fog gyártani 90, illetve 70 nanométeres csíkszélességű DRAM memóriachipeket.