Franczy
Új Samsung DDR és RDRAM memóriák
Egy a napokban San Joséban megrendezésre került fejlesztői konferencián a Samsung Semiconductors képviselői bejelentették, hogy a dél-koreai központú cég gyártóüzemeiben a közelmúltban megkezdték a 333 MHz-es, illetve 400 MHz-es működési frekvenciát is zokszó nélkül elviselő új DDR (Double Data Rate) SDRAM memóriachipek próbagyártását, ami előrevetíti, hogy már nem sokat kell várnunk arra, hogy ezek a minden eddiginél gyorsabb DDR memóriák felbukkanjanak a piacon. A Samsung képviselői ezenkívül azt is elmondták, hogy az új JEDEC DDR-II specifikációknak megfelelően a rendszermemóriának szánt DDR SDRAM eszközök sávszélességét a duplájára, azaz 400 Mbps-ra növelték, a grafikus megoldásokon használatos DDR eszközök sávszélessége pedig 700 Mbps-ra nőtt.
Mueez-Ud Deen, a dél-koreai Samsung Electronics amerikai leányvállalata, a Samsung Semiconductor memóriák fejlesztésével foglalkozó részlegének a marketing igazgatója az üggyel kapcsolatban elmondta, hogy az újgenerációs Samsung DDR SDRAM memóriachipek kiválóan megfelelnek majd rendszermemóriának és grafikusmemóriának is, hiszen teljesítményük minden korábbi DDR megoldásnál magasabb. A vadonatúj DDR333-as DDR SDRAM memóriachipek próbagyártása a napokban kezdődőtt meg, és ha minden jól megy, akkor a nagyobb gyártók már idén augusztusban, vagy szeptemberben megkapják az első nagyobb DDR333-as memória szállítmányokat - nyilatkozta Deen az említett konferencián, majd hozzátette, hogy az új memóriachipeket akár hálózati környezetekben és set-top box berendezésekben is kiválóan lehet majd alkalmazni.
A Samsung Electronicsról egyébként tudni kell, hogy az elsők között, 1997-ben lépett be a DDR SDRAM memóriachipek piacára, amikor is egy 128 Mbit-es DDR SDRAM memóriachippel tette le elsőként névjegyét. A cégnél azóta is folyamatosan folynak a fejlesztések, így ma már 128, 256 és 512 Mbit-es DDR SDRAM memóriachipek is megtalálhatók a Samsung kínálatában, mely cég memóriachipjeit általában előszeretettel alkalmazzák a különböző perifériagyártók.
Ide kapcsolódó hír, hogy a Samsung ugyancsak a napokban jelentette be, hogy a másik frontvonalon, azaz a Rambus DRAM memóriákat illetően is szakadatlanul folynak a cég fejlesztései, vagyis a Samsung egyszerre két vasat tart a tűzben. A Samsung képviselői elmondták, hogy a cég üzemeiben nemrégiben megkezdődött az immár 1066, illetve 1200 MHz-es frekvenciájú Rambus DRAM memóriák próbagyártása, mely memória újdonságok várhatóan már a közeljövőben felbukkannak a piacon.
Mueez-Ud Deen, a dél-koreai Samsung Electronics amerikai leányvállalata, a Samsung Semiconductor memóriák fejlesztésével foglalkozó részlegének a marketing igazgatója az üggyel kapcsolatban elmondta, hogy az újgenerációs Samsung DDR SDRAM memóriachipek kiválóan megfelelnek majd rendszermemóriának és grafikusmemóriának is, hiszen teljesítményük minden korábbi DDR megoldásnál magasabb. A vadonatúj DDR333-as DDR SDRAM memóriachipek próbagyártása a napokban kezdődőtt meg, és ha minden jól megy, akkor a nagyobb gyártók már idén augusztusban, vagy szeptemberben megkapják az első nagyobb DDR333-as memória szállítmányokat - nyilatkozta Deen az említett konferencián, majd hozzátette, hogy az új memóriachipeket akár hálózati környezetekben és set-top box berendezésekben is kiválóan lehet majd alkalmazni.
A Samsung Electronicsról egyébként tudni kell, hogy az elsők között, 1997-ben lépett be a DDR SDRAM memóriachipek piacára, amikor is egy 128 Mbit-es DDR SDRAM memóriachippel tette le elsőként névjegyét. A cégnél azóta is folyamatosan folynak a fejlesztések, így ma már 128, 256 és 512 Mbit-es DDR SDRAM memóriachipek is megtalálhatók a Samsung kínálatában, mely cég memóriachipjeit általában előszeretettel alkalmazzák a különböző perifériagyártók.
Ide kapcsolódó hír, hogy a Samsung ugyancsak a napokban jelentette be, hogy a másik frontvonalon, azaz a Rambus DRAM memóriákat illetően is szakadatlanul folynak a cég fejlesztései, vagyis a Samsung egyszerre két vasat tart a tűzben. A Samsung képviselői elmondták, hogy a cég üzemeiben nemrégiben megkezdődött az immár 1066, illetve 1200 MHz-es frekvenciájú Rambus DRAM memóriák próbagyártása, mely memória újdonságok várhatóan már a közeljövőben felbukkannak a piacon.