SG.hu
32 TB-os SSD-t készített a Samsung
A világ első 4. generációs, 64 rétegű V-NAND flash memória termékekeinek gyártása 2016 negyedik negyedévében kezdődik meg. A vállalati SSD-sorozat a világ legnagyobb kapacitású 32 TB-os SAS SSD-jét, az ultrakönnyű 1 TB-os BGA SSD-t és az ultranagy teljesítményű Z-SSD-t is magában foglalja.
A Samsung bemutatta a következő generációs flash memória-megoldásokkal kapcsolatos terveit. Cél a nagy adatátviteli hálózatok, a felhő alapú számítástechnika és a valós idejű elemzések egyre növekvő igényeinek kiszolgálása. A Santa Clara Convention Centerben (Kalifornia) tartott Flash Memory Summit 2016 rendezvényen bemutatták a vállalati ügyfelek számára elérhető, 4. generációs, függőleges NAND-t (V-NAND) és nagy teljesítményű, nagy kapacitású szilárdtest-meghajtó (SSD) sorozatot, valamint a flash-alapú tárolásban áttörést jelentő új megoldást, a Z-SSD-t.
A cég által bemutatott 4. generációs, 64 rétegű, háromszintű cellás V-NAND flash memória már a NAND skálázhatósági, teljesítmény- és tárolókapacitási határait feszegeti. A 64 rétegű cellatömbből felépülő, új V-NAND az egylapkás kapacitást az iparágvezető 512 GB-ra, az I/O sebességet pedig 800 Mb/s-ra növelheti. A 4. generációs V-NAND flash memóriatermékek gyártását az idei év negyedik negyedévében kezdik el. Ez segíti majd a gyártókat abban, hogy gyorsabb, elegánsabb és hordozható számítástechnikai eszközöket készíthessenek, miközben a fogyasztók számára rugalmasabb számítástechnikai környezetet nyújtanak.
32 TB-os SSD
A Samsung legújabb SAS (Serial Attached SCSI) SSD-je a világon eddig bemutatott legnagyobb egyeszközös, 512 gigabites (Gb) V-NAND chipeken alapuló meghajtó. A 16 rétegben egymásra helyezett, összesen 512 V-NAND chip egy 1 terabájtos (TB) csomagot alkot, a 32 terabájtos (TB) SSD pedig 32 ilyen csomagot tartalmaz. Az új, 4. generációs V-NAND-kialakítással rendelkező, 32 TB-os SAS SSD akár 40-szeresére csökkentheti a rendszer helyigényét egy azonos típusú, két rackes, merevlemezes meghajtókat (HDD) használó rendszerhez képest. A 32 TB-os SAS SSD 2,5 hüvelykes formában lesz kapható, és 2017-ben kezdik gyártani. A Samsung azt is tervezi, hogy a V-NAND technológia folyamatos finomításának köszönhetően 2020-ra elérhetővé teszi a 100 TB-nál nagyobb tárolókapacitással rendelkező SSD-ket.
A Samsung 1 TB-os BGA SSD-je rendkívül kompakt BGA-tokozással rendelkezik, amely az összes lényeges SSD-alkotórészt tartalmazza, beleértve a háromszintű cellás NAND flash chipeket, az LPDDR4 mobil DRAM-ot és a legkorszerűbb Samsung vezérlőt. A memóriaeszköz emellett 1500 MB/s szekvenciális olvasási és 900 MB/s szekvenciális írási teljesítményt ígér. Az elődjénél akár 50 százalékkal kisebb SSD mindössze egy grammot nyom (ez egy 5 forintos érme súlyának körülbelül a negyede), így az ultrakompakt, új generációs notebookokba, táblagépekbe és táblagép–laptopokba is ideális. A társaság továbbá azt tervezi, hogy jövőre elindítja 1 TB-os BGA SSD-jét, amely a Samsung Electronics és a Samsung Electro-Mechanics által kifejlesztett, nagy sűrűségű tokozási technológiával, úgynevezett „FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)” technológiával rendelkezik.
Z-SSD
A Samsung kifejlesztett egy nagy teljesítményű, ultra-alacsony késleltetésű SSD-megoldást, a Z-SSD-t is. Ez a V-NAND alapvető szerkezetével és olyan egyedi áramkör-kialakítással és vezérlővel rendelkezik, amely a Samsung PM963 NVMe SSD-hez képest négyszer gyorsabb késleltetéssel és 1,6-szor jobb szekvenciális olvasással képes maximalizálni a teljesítményt. A Z-SSD-t a folyamatos valós idejű elemzéssel foglalkozó rendszerekben fogják használni, és a nagy teljesítményt mindenfajta munkára kiterjesztik. Ennek az eszköznek a várható bevezetése a jövő évre tehető.
A Samsung bemutatta a következő generációs flash memória-megoldásokkal kapcsolatos terveit. Cél a nagy adatátviteli hálózatok, a felhő alapú számítástechnika és a valós idejű elemzések egyre növekvő igényeinek kiszolgálása. A Santa Clara Convention Centerben (Kalifornia) tartott Flash Memory Summit 2016 rendezvényen bemutatták a vállalati ügyfelek számára elérhető, 4. generációs, függőleges NAND-t (V-NAND) és nagy teljesítményű, nagy kapacitású szilárdtest-meghajtó (SSD) sorozatot, valamint a flash-alapú tárolásban áttörést jelentő új megoldást, a Z-SSD-t.
A cég által bemutatott 4. generációs, 64 rétegű, háromszintű cellás V-NAND flash memória már a NAND skálázhatósági, teljesítmény- és tárolókapacitási határait feszegeti. A 64 rétegű cellatömbből felépülő, új V-NAND az egylapkás kapacitást az iparágvezető 512 GB-ra, az I/O sebességet pedig 800 Mb/s-ra növelheti. A 4. generációs V-NAND flash memóriatermékek gyártását az idei év negyedik negyedévében kezdik el. Ez segíti majd a gyártókat abban, hogy gyorsabb, elegánsabb és hordozható számítástechnikai eszközöket készíthessenek, miközben a fogyasztók számára rugalmasabb számítástechnikai környezetet nyújtanak.
32 TB-os SSD
A Samsung legújabb SAS (Serial Attached SCSI) SSD-je a világon eddig bemutatott legnagyobb egyeszközös, 512 gigabites (Gb) V-NAND chipeken alapuló meghajtó. A 16 rétegben egymásra helyezett, összesen 512 V-NAND chip egy 1 terabájtos (TB) csomagot alkot, a 32 terabájtos (TB) SSD pedig 32 ilyen csomagot tartalmaz. Az új, 4. generációs V-NAND-kialakítással rendelkező, 32 TB-os SAS SSD akár 40-szeresére csökkentheti a rendszer helyigényét egy azonos típusú, két rackes, merevlemezes meghajtókat (HDD) használó rendszerhez képest. A 32 TB-os SAS SSD 2,5 hüvelykes formában lesz kapható, és 2017-ben kezdik gyártani. A Samsung azt is tervezi, hogy a V-NAND technológia folyamatos finomításának köszönhetően 2020-ra elérhetővé teszi a 100 TB-nál nagyobb tárolókapacitással rendelkező SSD-ket.
A Samsung 1 TB-os BGA SSD-je rendkívül kompakt BGA-tokozással rendelkezik, amely az összes lényeges SSD-alkotórészt tartalmazza, beleértve a háromszintű cellás NAND flash chipeket, az LPDDR4 mobil DRAM-ot és a legkorszerűbb Samsung vezérlőt. A memóriaeszköz emellett 1500 MB/s szekvenciális olvasási és 900 MB/s szekvenciális írási teljesítményt ígér. Az elődjénél akár 50 százalékkal kisebb SSD mindössze egy grammot nyom (ez egy 5 forintos érme súlyának körülbelül a negyede), így az ultrakompakt, új generációs notebookokba, táblagépekbe és táblagép–laptopokba is ideális. A társaság továbbá azt tervezi, hogy jövőre elindítja 1 TB-os BGA SSD-jét, amely a Samsung Electronics és a Samsung Electro-Mechanics által kifejlesztett, nagy sűrűségű tokozási technológiával, úgynevezett „FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)” technológiával rendelkezik.
Z-SSD
A Samsung kifejlesztett egy nagy teljesítményű, ultra-alacsony késleltetésű SSD-megoldást, a Z-SSD-t is. Ez a V-NAND alapvető szerkezetével és olyan egyedi áramkör-kialakítással és vezérlővel rendelkezik, amely a Samsung PM963 NVMe SSD-hez képest négyszer gyorsabb késleltetéssel és 1,6-szor jobb szekvenciális olvasással képes maximalizálni a teljesítményt. A Z-SSD-t a folyamatos valós idejű elemzéssel foglalkozó rendszerekben fogják használni, és a nagy teljesítményt mindenfajta munkára kiterjesztik. Ennek az eszköznek a várható bevezetése a jövő évre tehető.