SG.hu
Intel: 2015 után is tartható Moore törvénye
Az Intel egy ultra gyors és mégis alacsony energiafogyasztású tranzisztor fejlesztéséről számolt be. A tranzisztor egy olyan új alapanyagból épül fel, amely a cég mikroprocesszorainak és más logikai egységeinek az alapjául szolgálhat a következő évtized második felétől.
Az Intel és QinetiQ kutatói közösen mutattak be egy indium-antimonid (InSb) felhasználásával készült tranzisztort. Az információ, illetve az elektromos áram útját a lapkákban a tranzisztor szabályozza. A prototípus sokkal gyorsabb, és kevesebbet is fogyaszt, mint elődei. Az Intel az új alapanyagot a szilícium kiegészítéseként fogja alkalmazni a jövőben, ezzel továbbra is tartva magát Moore-törvényhez, miszerint az egy számítógépes chipbe zsúfolható tranzisztorok száma kétévente megduplázódik. A tranzisztorok jelentősen kisebb fogyasztása és gyorsulása nagyban befolyásolja a platformok tulajdonságait és képességeit a jövőben. A kisebb mértékű energiafelhasználásnak és hőtermelésnek köszönhetően a mobil eszközök üzemideje lényegesen megnövekedhet, valamint lehetőség nyílik még kisebb, még nagyobb teljesítményű eszközök gyártására is.
“A kutatások eredményei megerősítenek minket abban, hogy a Moore-törvényt 2015 után is tudjuk tartani. Mint ahogyan az Intel korábbi technikai fejlesztéseinél, ezeknél az új alapanyagoknál is a szilicíum-alapú félvezetők jövőjének kiterjesztésére számítunk" - mondta Ken David, az Intel technológia és gyártás csoportjának anyagkutatási vezetője. “A teljesítmény 50 százalékos növelésével és ezzel párhuzamosan a fogyasztás körülbelül tizedére való csökkentésével az új alapanyag számottevő flexibilitást tesz lehetővé számunkra, mivel így optimalizálni tudjuk a jövő platformjainak teljesítményét és fogyasztását."
Az indium-antimonid összetevői a hármas és ötös főcsoportból kikerülő félvezetők, amiket ma rengeteg különböző helyen használnak, például olyan kisméretű integrált eszközökben, mint a rádió-frekvenciás jelerősítők, mikrohullámú berendezések, illetve félvezető lézerek. Az Intel és QinetiQ már korábban is beszámoltak indium-antimonid csatornás tranzisztorokról, de a most bejelentett 85 nm kapuhosszúságú modell az eddigi legkisebb prototípus, méretét tekintve a korábbiaknak kevesebb, mint a fele. Az új InSb alapú tranzisztorok tömeges előállításához a jelenlegi gyártósorokat csupán kisebb mértékben szükséges átalakítani. Alacsonyabb feszültségen, körülbelül fél volton képesek üzemelni (ez nagyjából a fele a mai chipekben használt tranzisztorok feszültségének), ennek köszönhető a jóval alacsonyabb energiafogyasztás.
“Ez a kutatás kitűnően példázza a QinetiQ kutatási stratégiáját, melynek tengelyében az Intelhez hasonló, világszerte vezető cégekkel való együttműködés és kereskedelmi potenciállal rendelkező technológiák fejlesztése áll" - mondta Tim Phillips, a QinetiQ tranzisztorokkal foglalkozó részlegének üzleti vezetője.
Az Intel és QinetiQ kutatói közösen mutattak be egy indium-antimonid (InSb) felhasználásával készült tranzisztort. Az információ, illetve az elektromos áram útját a lapkákban a tranzisztor szabályozza. A prototípus sokkal gyorsabb, és kevesebbet is fogyaszt, mint elődei. Az Intel az új alapanyagot a szilícium kiegészítéseként fogja alkalmazni a jövőben, ezzel továbbra is tartva magát Moore-törvényhez, miszerint az egy számítógépes chipbe zsúfolható tranzisztorok száma kétévente megduplázódik. A tranzisztorok jelentősen kisebb fogyasztása és gyorsulása nagyban befolyásolja a platformok tulajdonságait és képességeit a jövőben. A kisebb mértékű energiafelhasználásnak és hőtermelésnek köszönhetően a mobil eszközök üzemideje lényegesen megnövekedhet, valamint lehetőség nyílik még kisebb, még nagyobb teljesítményű eszközök gyártására is.
“A kutatások eredményei megerősítenek minket abban, hogy a Moore-törvényt 2015 után is tudjuk tartani. Mint ahogyan az Intel korábbi technikai fejlesztéseinél, ezeknél az új alapanyagoknál is a szilicíum-alapú félvezetők jövőjének kiterjesztésére számítunk" - mondta Ken David, az Intel technológia és gyártás csoportjának anyagkutatási vezetője. “A teljesítmény 50 százalékos növelésével és ezzel párhuzamosan a fogyasztás körülbelül tizedére való csökkentésével az új alapanyag számottevő flexibilitást tesz lehetővé számunkra, mivel így optimalizálni tudjuk a jövő platformjainak teljesítményét és fogyasztását."
Az indium-antimonid összetevői a hármas és ötös főcsoportból kikerülő félvezetők, amiket ma rengeteg különböző helyen használnak, például olyan kisméretű integrált eszközökben, mint a rádió-frekvenciás jelerősítők, mikrohullámú berendezések, illetve félvezető lézerek. Az Intel és QinetiQ már korábban is beszámoltak indium-antimonid csatornás tranzisztorokról, de a most bejelentett 85 nm kapuhosszúságú modell az eddigi legkisebb prototípus, méretét tekintve a korábbiaknak kevesebb, mint a fele. Az új InSb alapú tranzisztorok tömeges előállításához a jelenlegi gyártósorokat csupán kisebb mértékben szükséges átalakítani. Alacsonyabb feszültségen, körülbelül fél volton képesek üzemelni (ez nagyjából a fele a mai chipekben használt tranzisztorok feszültségének), ennek köszönhető a jóval alacsonyabb energiafogyasztás.
“Ez a kutatás kitűnően példázza a QinetiQ kutatási stratégiáját, melynek tengelyében az Intelhez hasonló, világszerte vezető cégekkel való együttműködés és kereskedelmi potenciállal rendelkező technológiák fejlesztése áll" - mondta Tim Phillips, a QinetiQ tranzisztorokkal foglalkozó részlegének üzleti vezetője.