SG.hu·
Évek múlva futnak be a 2 nm-es chipek
A TSMC az évtized közepére tervezi a leszállítást, ami komoly felkészülést igényel.
A tajvani vállalat szinte minden héten felbukkan híreinkben, ami többek között annak köszönhető, hogy tavaly ők uralták a félvezetőgyártók piacát, besöpörve a bevételek nagy hányadát. Most az elkövetkező évekre vonatkozó terveik egy részét közölték a nyilvánossággal, amelyek rávilágítanak a menetrendre.
A napokban a cég első embere beszélt a várható fejleményekről, már ami a gyártástechnológiát, valamint a tranzisztor-technológiát illeti. Ebből megtudtuk, hogy jövőre várható a 3 nanométeres chipek megjelenése, ezek tehát 2023-ban bukkannak majd fel az első okostelefonokban és az egyéb hordozható eszközökben, a TSMC azonban már készül az ezt követő lépésre, a 2 nanométeres (N2) technológia bevezetésére, hiszen ehhez szükség lesz a megfelelő gyártósorokra, ami korai befektetést és konkrét lépéseket igényel. A tranzisztorok kapcsán megjegyezték, hogy a Gate-all-around (GAA) technológiát alkalmaznák, amit a Samsung már a 3 nanométeres generációnál bevezetne.
Tekintettel arra, hogy a TSMC 2024-ben gyártaná le az első ilyen példányokat, a sorozatgyártás a következő év vége felé jönne el, a chipeket pedig csak 2026-ban szállítanák le a vásárlóknak, a Samsung ezen a téren 2-3 éves előnyre tenne szert, ám a tajvani rivális bízik abban, hogy a csúszás ellenére az ő megoldásuk lesz majd piacvezető. Szerintük a FinFET-technológiában még van néhány év, erre támaszkodva megfelelő chipeket tudnak majd biztosítani saját partnereiknek, az évtized közepén pedig jöhet a fent említett nagy váltás.
Az Intel a maga részről szintén piacvezetővé szeretne válni, néhány éven belül meglátjuk, melyik változat válik valóra.
A tajvani vállalat szinte minden héten felbukkan híreinkben, ami többek között annak köszönhető, hogy tavaly ők uralták a félvezetőgyártók piacát, besöpörve a bevételek nagy hányadát. Most az elkövetkező évekre vonatkozó terveik egy részét közölték a nyilvánossággal, amelyek rávilágítanak a menetrendre.
A napokban a cég első embere beszélt a várható fejleményekről, már ami a gyártástechnológiát, valamint a tranzisztor-technológiát illeti. Ebből megtudtuk, hogy jövőre várható a 3 nanométeres chipek megjelenése, ezek tehát 2023-ban bukkannak majd fel az első okostelefonokban és az egyéb hordozható eszközökben, a TSMC azonban már készül az ezt követő lépésre, a 2 nanométeres (N2) technológia bevezetésére, hiszen ehhez szükség lesz a megfelelő gyártósorokra, ami korai befektetést és konkrét lépéseket igényel. A tranzisztorok kapcsán megjegyezték, hogy a Gate-all-around (GAA) technológiát alkalmaznák, amit a Samsung már a 3 nanométeres generációnál bevezetne.
Tekintettel arra, hogy a TSMC 2024-ben gyártaná le az első ilyen példányokat, a sorozatgyártás a következő év vége felé jönne el, a chipeket pedig csak 2026-ban szállítanák le a vásárlóknak, a Samsung ezen a téren 2-3 éves előnyre tenne szert, ám a tajvani rivális bízik abban, hogy a csúszás ellenére az ő megoldásuk lesz majd piacvezető. Szerintük a FinFET-technológiában még van néhány év, erre támaszkodva megfelelő chipeket tudnak majd biztosítani saját partnereiknek, az évtized közepén pedig jöhet a fent említett nagy váltás.
Az Intel a maga részről szintén piacvezetővé szeretne válni, néhány éven belül meglátjuk, melyik változat válik valóra.