9
-
Kryon #1 Kíváncsi leszek, hogy meddig tudnak lemenni. -
Csaba161 #2 Ja, 3nm az kb 30 atomvastagság egy vezeték és 100 atom egy tranzisztor, ez már bőven a kvantummechanikai határ alatt van. Így véletlenszám generátornak tök jók lesznek ezek csipek...
-
#3
-
Csaba161 #4 Nem beszélve arról, hogy a tranzisztorokban szennyezett p vagy n rétegek vannak, ahol a szennyezést ezrelékben mérik. 100 atom esetén ez hogy jön ki?
Jó, persze ezek 3 dimenziósak, tehát azért felfelé lesz legalább 10 nm magas egy tranyó, de így is a vékony átmenetek miatt elég nagy lesz a kvantumbizonytalanság...
-
AndReWsss #5 Lehet a TSMC-nél vagy az Intelnél vagy vezető chip-fejlesztőmérnök, de inkább annak van nagyobb esélye szerintem, hogy nem.
Szóval először lássuk a medvét, lehet, hogy megoldják... -
kvp #6 Ha npn es pnp tranzisztorok helyett field effect (fet) tranziszorokat gyartanak, egesz pontosan metal oxid (mos) tranzisztorokat, akkor ket femcsik kozott 1 reteg szilicium a tranzisztor (+oxid szigetelo es fem kapu) es igy kvazi egy analog kapcsolokent mukodik. Elonye, hogy nem nagyon kell szennyezni, tranzisztoronkent csak egy szilicium reteg van 3 helyett es ott se a hatar szamit hanem a kapcsolo reteg szelessege a ket fem kozott. Raadasul meg gyorsabb is mint a szennyezett polyszilikonos tranzisztorok. -
Csaba161 #7 A MOS-FET-ekről azért nem írtam, mert azokat teljesen lehetetlen ilyen kis méretben elkészíteni. Itt még a 3D sem segít. Gondolj bele, egy 10x10 atomos félvezetőre max 2 réteg SiO2 szigetelőréteget lehetne felvinni, hogy ott kialakulhasson mérhető kapacitás, ha ugyanis mondjuk felfelé néhány tucat atomrétegnyi szigetelés van, ott ilyen kis felület esetében nem lesz semmilyen kapacitás. Ha viszont maradunk a 2-3 atom vastag szigetelőrétegnél, akkor közbeszól a kvantummechanikai alagúteffektus, és simán áram folyik át, nem lesz itt semmi térvezérlés.
-
kvp #8 A szigeteloreteg vastagsaga es a tranzisztor csikszelessege nem linearisan fugg egymastol. Ha vizszintes iranyban kis meretu tranzisztort keszit valaki, attol meg maradhat ugyanaz a szigetelo vastagsag fuggoleges iranyban. Egyszeruen ugyanannak a kapacitasnak kisebb feluletet kell kapcsolnia. Meg jobb is lesz, foleg ha tiszta fem-fem-fem a source-gate-drain. Csak a szigetelest es a tranzisztor kapcsolo csatornajat kell sziliciumbol kesziteni (meg alatta a jo vastag szigetelot, amire az egeszet raepitik) Ez egy nagyon egyszeru es olcso megoldas, raadasul a tranzisztorbol csak a tenyleges kapcsolt csatorna marad szennyezendo, minden mas vagy szilicium oxid vagy fem. (raadasul a szigetelok vastagsagat nem is kell ehhez csokkenteni) A poliszilikonos source-drain megoldas olcsobb volt es konnyebben gyarthato, de a tiszta fem alapu jobb.
Edit: A gyartasnal egyebkent nem csak a csatorna tetejere viszik fel a szigetelot, hanem mindenhova, aztan a source-drain korul visszamarjak es a lyukakat feltoltik femmel. Aztan johet a gate szigetelesenek a tetejere a gate femje is, sot ha ugyesek, akkor ugyanabban a fazisban.
Utoljára szerkesztette: kvp, 2019.11.08. 13:32:29 -
Sydra #9 Ennek erősen kamu szaga van. Biztos az ígérgetésből kovácsolnak tőkét.