Gyurkity Péter

32 és 28 nanométeren fejleszt az AMD volt gyártói részlege

A GlobalFoundries néven tovább működő egykori gyártói részleg júliusban kezdi meg új gyártósorának felépítését az Egyesült Államokban, ezen alkalomból pedig újabb részleteket közöltek a tervekből.

A gyártó a következő hónapban kezdi meg a komoly munkálatokat a Fab 2 névre keresztelt gyártósor leendő helyszínén, New York államban. A Computex kiállítás alatt a cég egyik vezetője nyilatkozott a tervekről, valamint a részletes útitervről, legalábbis ami a különböző csíkszélességű gyártástechnológiákat illeti. Lássuk, hogy mivel is készül az AMD volt gyártói részlege az elkövetkező években.

A vezető először is elárulta, hogy végre sikerült elérniük az optimális szintet a jelenlegi, 45 nanométeres generáció esetében, vagyis az eddigi legjobb kibocsátási arányt mondhatják magukénak a Fab 1 névre átkeresztelt drezdai gyártósorok esetében. A drezdai kettes modul elsődleges feladata az elkövetkező időszakban ezen technológia alkalmazása, erre alapozva pedig az Istanbul kódnéven kifejlesztett hatmagos Opteron processzorok sorozatgyártásának felfuttatása - a grafikus chipek esetében pedig 40 nanométeren növelik a kibocsátási arányt. Ezt követően, már a következő évben, a 32 nanométeres, nagy dielektromos állandójú szigetelőanyagú (high-k), fém kapuelektródájú tranzisztorok gyártásának megkezdése, a megfelelő feltételek kialakítása jön, bőven lesz tehát tennivaló a németországi üzemekben.

Ami az amerikai Fab 1-et illeti, itt 2011-től kezdődhet meg a tulajdonképpeni munka, első körben pedig a vadonatúj, 28 nanométeres csíkszélesség alkalmazásának megvalósítása lesz a feladat. A sorozatgyártás felfuttatása ekkor, vagyis két év múlva kezdődhet meg, a központi processzorok esetében pedig a 22 nanométer jelenti majd a következő fontos állomást, amely igazából csak 2012-től kezdheti meg a terjeszkedést. Amennyiben minden a tervek szerint megy, a főleg az AMD-t kiszolgáló gyártó révén, utóbbi nem lesz nagy lemaradásban az Intel mögött.

A GlobalFoundries már most a tajvani TSMC egyik fontos riválisaként jelenik meg a piacon, utóbbi pedig ezekben a napokban szintén a 40 nanométeres grafikus chipek felfuttatásával örvendeztette meg az AMD-t. A volt gyártói részleg azonban már bemutatta a 32 és 28 nanométeres ostyák mintapéldányait, hogy jelezzék: jó úton haladnak.

Hozzászólások

A témához csak regisztrált és bejelentkezett látogatók szólhatnak hozzá!
Bejelentkezéshez klikk ide
(Regisztráció a fórum nyitóoldalán)
  • kvp #3
    Ujra feltalaltak a femoxid alapu felvezetoket. Ilyen elven mukodtek anno a vasoxidot hasznalo radio vevok is. http://en.wikipedia.org/wiki/Foxhole_radio

    Jo dolog, tudjuk, hogy mukodik. Talan igy meg kepes lesz megmaradni az amd is.
  • KillerBee #2
    Amúgy meg nem kapuelektródákat gyártanak, hanem olyan áramköröket, amelyekben a MOSFET-ek kapuelektródája fémből van (metal gate), a szigetelőanyaga pedig nagy dielektromos állandójú (high-k). A fém az eddig alkalmazott poliszilikonnál jobb vezető, a nagy dielektromos állandójú szigetelőanyag alkalmazásával pedig vastagabb szigetelőrétegnél is lesz elég kapacitás a térvezérléshez, viszont a vastagabb réteg miatt csökken a szivárgási áram.
  • KillerBee #1
    "a 32 nanométeres, high-k fémkapuk gyártásának megkezdése"

    A MOSFET elektródáinak nevét nem szoktuk lefordítani magyarra. Az egyetlen kivétel talán éppen a gate, de akkor kapuelektródának fordítjuk.