Kruza Richárd
Több cache memória lesz az új IBM processzorokon
Az IBM ma jelentette be új technológiáját, melynek segítségével az eddiginél több memóriát tudnak majd chipjeikre helyezni. A cég szerint az új módszerrel lényegesen gyorsabbak lesznek az új processzorok.
Jövőre kezdik az új, 45 nanométeres processzorok gyártását az IBM-nél, melyekben az eddigieknél háromszor több memóriát helyeznek majd el, ráadásul az SRAM (statikus ram) helyett DRAM-ot (dinamikus ram) fognak felhasználni erre a célra. Subu Iyer, a 45 nanométeres kutatási vezetője elmondta, hogy az IBM ma fogja ezirányú terveit bemutatni az International Solid State Circuits Conference-en.
Napjaink chipjeiben közvetlenül a processzor szerkezete mellett van a cache memória, azzal közvetlenül és nagy sebességgel kommunikál, segítve ezzel a gyakori számítások elvégzését. Eddig a gyártók SRAM-ot használtak, de egyre nehezebb dolguk van mert a processzorok egyre kisebbek és az SRAM-nak egyre nehezebb lépést tartania a fejlődéssel. A probléma a kóbor árammal van, és a DRAM ebből a szempontból jobb, mert kevesebb tranzisztor van benne.
Iyer szerint eddig senki nem tudta a DRAM-ot erre a célra felhasználni a silicon-on-insulator (SOI) technológia felhasználásával. Az IBM a SOI technológiát eddig is alkalmazta már a Power 5-ben felhasznált tranzisztorokban, miközben egyes processzoroknál - amilyen a Blue Gene processzor - már beágyazott DRAM található. Tulajdonképpen ezt a két technológiát kell egyesíteni.
Az IBM 45 nanométeres technológiáján alapuló új processzorok lesznek az elsők melyek a DRAM előnyeit nyújtják. Az első ilyen processzorok 2008-ben fognak megjelenni, és 24-48 MB memória lesz bennük, ami tényleg sokkal több akár az idén megjelenő Power6-os processzorban található 8MB-hez képest is.
Az IBM és az AMD közös fejlesztésekben vesz részt, bár az AMD ezzel kapcsolatban nem nyilatkozott, mivel az Innovative Silicon-nal közösen hasonló saját technológiával rendelkezik, melyet Z-RAM-nek neveztek el. Emellett az Intel is továbblép és az SRAM helyett a "floating-body cells" technológiát fogja alkalmazni. Az Intel Montecito Itanium processzoraiban máris 24 MB cache található.
Jövőre kezdik az új, 45 nanométeres processzorok gyártását az IBM-nél, melyekben az eddigieknél háromszor több memóriát helyeznek majd el, ráadásul az SRAM (statikus ram) helyett DRAM-ot (dinamikus ram) fognak felhasználni erre a célra. Subu Iyer, a 45 nanométeres kutatási vezetője elmondta, hogy az IBM ma fogja ezirányú terveit bemutatni az International Solid State Circuits Conference-en.
Napjaink chipjeiben közvetlenül a processzor szerkezete mellett van a cache memória, azzal közvetlenül és nagy sebességgel kommunikál, segítve ezzel a gyakori számítások elvégzését. Eddig a gyártók SRAM-ot használtak, de egyre nehezebb dolguk van mert a processzorok egyre kisebbek és az SRAM-nak egyre nehezebb lépést tartania a fejlődéssel. A probléma a kóbor árammal van, és a DRAM ebből a szempontból jobb, mert kevesebb tranzisztor van benne.
Iyer szerint eddig senki nem tudta a DRAM-ot erre a célra felhasználni a silicon-on-insulator (SOI) technológia felhasználásával. Az IBM a SOI technológiát eddig is alkalmazta már a Power 5-ben felhasznált tranzisztorokban, miközben egyes processzoroknál - amilyen a Blue Gene processzor - már beágyazott DRAM található. Tulajdonképpen ezt a két technológiát kell egyesíteni.
Az IBM 45 nanométeres technológiáján alapuló új processzorok lesznek az elsők melyek a DRAM előnyeit nyújtják. Az első ilyen processzorok 2008-ben fognak megjelenni, és 24-48 MB memória lesz bennük, ami tényleg sokkal több akár az idén megjelenő Power6-os processzorban található 8MB-hez képest is.
Az IBM és az AMD közös fejlesztésekben vesz részt, bár az AMD ezzel kapcsolatban nem nyilatkozott, mivel az Innovative Silicon-nal közösen hasonló saját technológiával rendelkezik, melyet Z-RAM-nek neveztek el. Emellett az Intel is továbblép és az SRAM helyett a "floating-body cells" technológiát fogja alkalmazni. Az Intel Montecito Itanium processzoraiban máris 24 MB cache található.