Gyurkity Péter
Gondban van a Samsung chipgyártó részlege
Óriási a selejtarány, ezen a jövő év elejéig mindenképpen javítaniuk kell.
A hordozható eszközökben használt új csúcskategóriás chipek kapcsán nemrég arról írtunk, hogy ezek a kialakítás miatt melegednek túl, eközben azonban folytatódik a verseny a következő generáció mielőbbi piacra dobása érdekében. A jelek szerint a Samsung komoly gondokkal küszködik ezen a téren.
A külsős, szintén dél-koreai forrásra támaszkodó friss beszámolóban arról olvashatunk, hogy míg a 4 nanométeres gyártástechnológiával előállított Snapdragon 8 Gen 1 esetében a Samsung 35 százalékos aránnyal tudja csak leszállítani az új példányokat (vagyis a selejtek aránya átlagosan 65 százalék), a most fejlesztés és optimalizálás alatt álló 3 nanométeres példányoknál ez továbbra is 20 százalék alatt van. Ez mindenképpen óriási gondot jelent, hiszen a TSMC a 4 nanométer esetében 70 százalékos arányt ért már el, nem véletlen, hogy ez a tajvani rivális kapta meg a szerződést a további Snapdragon 8 Gen 1 chipek legyártására, amit jó eséllyel a Gen 2 típusra vonatkozó megállapodás követ hamarosan a sorban.
A Samsung a maga részéről nemrég azt közölte a nyilvánossággal, hogy már jelentős mértékű javulást értek el a selejtarány terén, ez azonban nyilván még messze van az ideális szinttől. Tekintettel arra, hogy elsőként alkalmazzák a Gate-all-around (GAA) tranzisztorokat, a 3 nanométeres csíkszélességnél látható nagyon alacsony eredmény nem túl meglepő, miközben az is némi reményt ad számukra, hogy ezen chipeket csak a jövő év elejétől szállítanák le a partnereknek, vagyis van még idő a további optimalizálásra. Egyéb értesülések szerint már dolgoznak a következő generációs Exynos-chipeken, az viszont még nem világos, hogy ezek a fenti, 3 nanométeres technológiával készülnének-e el.
Az Intel szintén komoly erőket mozgósít annak érdekében, hogy a terület vezető szereplőjévé váljon, ezt többek között a még újabb Extreme Ultraviolet (EUV) litográfiai eszközök beszerzésével valósítanák meg, 2024-re, vagyis alig két éven belül.
A hordozható eszközökben használt új csúcskategóriás chipek kapcsán nemrég arról írtunk, hogy ezek a kialakítás miatt melegednek túl, eközben azonban folytatódik a verseny a következő generáció mielőbbi piacra dobása érdekében. A jelek szerint a Samsung komoly gondokkal küszködik ezen a téren.
A külsős, szintén dél-koreai forrásra támaszkodó friss beszámolóban arról olvashatunk, hogy míg a 4 nanométeres gyártástechnológiával előállított Snapdragon 8 Gen 1 esetében a Samsung 35 százalékos aránnyal tudja csak leszállítani az új példányokat (vagyis a selejtek aránya átlagosan 65 százalék), a most fejlesztés és optimalizálás alatt álló 3 nanométeres példányoknál ez továbbra is 20 százalék alatt van. Ez mindenképpen óriási gondot jelent, hiszen a TSMC a 4 nanométer esetében 70 százalékos arányt ért már el, nem véletlen, hogy ez a tajvani rivális kapta meg a szerződést a további Snapdragon 8 Gen 1 chipek legyártására, amit jó eséllyel a Gen 2 típusra vonatkozó megállapodás követ hamarosan a sorban.
A Samsung a maga részéről nemrég azt közölte a nyilvánossággal, hogy már jelentős mértékű javulást értek el a selejtarány terén, ez azonban nyilván még messze van az ideális szinttől. Tekintettel arra, hogy elsőként alkalmazzák a Gate-all-around (GAA) tranzisztorokat, a 3 nanométeres csíkszélességnél látható nagyon alacsony eredmény nem túl meglepő, miközben az is némi reményt ad számukra, hogy ezen chipeket csak a jövő év elejétől szállítanák le a partnereknek, vagyis van még idő a további optimalizálásra. Egyéb értesülések szerint már dolgoznak a következő generációs Exynos-chipeken, az viszont még nem világos, hogy ezek a fenti, 3 nanométeres technológiával készülnének-e el.
Az Intel szintén komoly erőket mozgósít annak érdekében, hogy a terület vezető szereplőjévé váljon, ezt többek között a még újabb Extreme Ultraviolet (EUV) litográfiai eszközök beszerzésével valósítanák meg, 2024-re, vagyis alig két éven belül.