Berta Sándor
Szilícium-helyettesítő anyaggal növelhető a számítási teljesítmény
A szakemberek a célra egy már ismert anyagot alkalmaztak.
Az MIT kutatói kiderítették, hogy a hagyományos és a kvantumszámítógépek számítási teljesítménye közötti különbség jelentős mértékben eltüntethető, ha az előbbieknél a szilícium tranzisztorok helyett indium-gallium-arzenid (InGaAs) tranzisztorokat alkalmaznak. Az indium-gallium-arzenid eddig szinte kizárólag az optoelektronika területén terjedt el és az elektromos jelek optikaiakra, illetve az optikai jelek elektromosokra való átalakítására használták.
Xiaowei Cai, az Analog Devices nevű félvezetőgyártó munkatársa, az MIT doktorandusza elmondta, hogy nem találtak komoly összefüggést az indium-gallium-arzenidből való tranzisztorok méretének csökkentése és a számítási teljesítmény mérséklődése között. Az utóbbi jelenség az oxidok megkötésére vezethető vissza.
Azt is sikerült kimutatni, hogy az oxidok megkötését nem lehetett megfigyelni magasabb frekvenciákon. Az 1 GHz-nél magasabb frekvenciákon az indium-gallium-arzenid-tranzisztorok kifogástalanul működtek. Cai hangsúlyozta, hogy hiszik, hogy az oxidok megkötésével kapcsolatos probléma konstruktív módosításokkal megoldható. A kutatást egyaránt támogatta a Defense Threat Reduction Agency és a National Science Foundation.
Az MIT kutatói kiderítették, hogy a hagyományos és a kvantumszámítógépek számítási teljesítménye közötti különbség jelentős mértékben eltüntethető, ha az előbbieknél a szilícium tranzisztorok helyett indium-gallium-arzenid (InGaAs) tranzisztorokat alkalmaznak. Az indium-gallium-arzenid eddig szinte kizárólag az optoelektronika területén terjedt el és az elektromos jelek optikaiakra, illetve az optikai jelek elektromosokra való átalakítására használták.
Xiaowei Cai, az Analog Devices nevű félvezetőgyártó munkatársa, az MIT doktorandusza elmondta, hogy nem találtak komoly összefüggést az indium-gallium-arzenidből való tranzisztorok méretének csökkentése és a számítási teljesítmény mérséklődése között. Az utóbbi jelenség az oxidok megkötésére vezethető vissza.
Azt is sikerült kimutatni, hogy az oxidok megkötését nem lehetett megfigyelni magasabb frekvenciákon. Az 1 GHz-nél magasabb frekvenciákon az indium-gallium-arzenid-tranzisztorok kifogástalanul működtek. Cai hangsúlyozta, hogy hiszik, hogy az oxidok megkötésével kapcsolatos probléma konstruktív módosításokkal megoldható. A kutatást egyaránt támogatta a Defense Threat Reduction Agency és a National Science Foundation.